Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET, 90 A, 60 V Enhancement, 7-Pin WDSON
- RS Stock No.:
- 178-7487
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSB028N06NN3GXUMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 5000 ชิ้น)*
THB269,060.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB287,895.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 22 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 5000 - 5000 | THB53.812 | THB269,060.00 |
| 10000 - 15000 | THB52.198 | THB260,990.00 |
| 20000 + | THB50.632 | THB253,160.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 178-7487
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSB028N06NN3GXUMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 90A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | WDSON | |
| Series | OptiMOS 3 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 7 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2.8mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 78W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 108nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 0.53mm | |
| Width | 5.05 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 6.35mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 90A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type WDSON | ||
Series OptiMOS 3 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 7 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2.8mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 78W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 108nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 0.53mm | ||
Width 5.05 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 6.35mm | ||
Automotive Standard No | ||
Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 60 to 80V
OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.
Fast switching MOSFET for SMPS
Optimized technology for DC/DC converters
Qualified according to JEDEC1) for target applications
N-channel, logic level
Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
Very low on-resistance R DS(on)
Pb-free plating
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 7-Pin WDSON BSB028N06NN3GXUMA1
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB034N06L3GATMA1
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 7-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 7-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 120 V Enhancement, 7-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 7-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 7-Pin TO-263
