N-Channel MOSFET, 90 A, 60 V, 7-Pin MG-WDSON-2 Infineon BSB028N06NN3GXUMA1

RS Stock No.:: 178-7487
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSB028N06NN3GXUMA1
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Infineon

N-Channel MOSFET, 90 A, 60 V, 7-Pin MG-WDSON-2 Infineon BSB028N06NN3GXUMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ราคา / Price Each (On a Reel of 5000)**

THB43.833

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB46.901

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

สินค้าหมดชั่วคราว (Temporarily out of stock) - จะเป็นแบ๊คออเดอร์จัดส่ง (back order for despatch) 26/04/2025, จัดส่งภายใน (delivery within) 4-6 วันทำการ (working days)*

* วันที่จัดส่งอาจเปลี่ยนแปลงได้ตามจำนวนสินค้าที่คุณเลือกหรือที่อยู่จัดส่งของคุณ

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

Units	ต่อหน่วย	ต่อม้วน**
5000 - 5000	THB43.833	THB219,165.00
10000 - 15000	THB42.518	THB212,590.00
20000 +	THB41.242	THB206,210.00

**ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 178-7487
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSB028N06NN3GXUMA1
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Infineon

BSB028N06NN3G OptiMOS 3 Power MOSFET

คุณสมบัติ	Value
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	90 A
Maximum Drain Source Voltage	60 V
Series	OptiMOS™ 3
Package Type	MG-WDSON-2
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	7
Maximum Drain Source Resistance	2.8 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Maximum Power Dissipation	78 W
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Number of Elements per Chip	1
Width	5.05mm
Typical Gate Charge @ Vgs	108 nC @ 10 V
Length	6.35mm
Transistor Material	Si
Minimum Operating Temperature	-40 °C
Height	0.53mm
Forward Diode Voltage	1.2V

N-Channel MOSFET, 90 A, 60 V, 7-Pin MG-WDSON-2 Infineon BSB028N06NN3GXUMA1

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 60 to 80V

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง