Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 50 A, 80 V Enhancement, 7-Pin MG-WDSON BSB104N08NP3GXUSA1

RS Stock No.:: 214-8967
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSB104N08NP3GXUSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 50 A, 80 V Enhancement, 7-Pin MG-WDSON BSB104N08NP3GXUSA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 15 ชิ้น)*

THB704.295

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB753.60

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

4,995 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
15 - 1245	THB46.953	THB704.30
1260 - 2490	THB45.78	THB686.70
2505 +	THB45.075	THB676.13

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 214-8967
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSB104N08NP3GXUSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	50A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	80V
	Package Type	MG-WDSON
	Series	OptiMOS
	Mount Type	Surface
	Pin Count	7
	Maximum Drain Source Resistance Rds	10.4mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	23nC
	Maximum Power Dissipation Pd	42W
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	0.7mm
	Standards/Approvals	No
	Width	6.35 mm
	Length	5.05mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 50A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 80V
	Package Type MG-WDSON
	Series OptiMOS
	Mount Type Surface
	Pin Count 7
	Maximum Drain Source Resistance Rds 10.4mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 23nC
	Maximum Power Dissipation Pd 42W
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 0.7mm
	Standards/Approvals No
	Width 6.35 mm
	Length 5.05mm
	Automotive Standard No

Datasheet - BSB104N08NP3GXUSA1

The Infineon range of OptiMOS is the market leader in highly efficient solutions for power generation (e.g. solar micro inverter), power supply (e.g. server and telecom) and power consumption (e.g. electric vehicle). These consists of range of energy efficient MOSFET transistors, in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces.

Low parasitic inductance

Optimized technology for DC/DC converters

Dual sided cooling

Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 50 A, 80 V Enhancement, 7-Pin MG-WDSON BSB104N08NP3GXUSA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง