Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 15 A, 75 V Enhancement, 6-Pin MG-WDSON BSF450NE7NH3XUMA1
- RS Stock No.:
- 214-8982
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSF450NE7NH3XUMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 15 ชิ้น)*
THB688.125
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB736.29
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 4,245 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 15 - 1245 | THB45.875 | THB688.13 |
| 1260 - 2490 | THB44.729 | THB670.94 |
| 2505 + | THB44.041 | THB660.62 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 214-8982
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSF450NE7NH3XUMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 15A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 75V | |
| Series | OptiMOS | |
| Package Type | MG-WDSON | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 6 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 45mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2.5W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 7.2nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 6.35 mm | |
| Length | 5.49mm | |
| Height | 1.1mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 15A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 75V | ||
Series OptiMOS | ||
Package Type MG-WDSON | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 6 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 45mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2.5W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 7.2nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 6.35 mm | ||
Length 5.49mm | ||
Height 1.1mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon range of 75V OptiMOS technology specializes in synchronous rectification applications. Based on the leading 80V technology these 75V products feature simultaneously lowest on-state resistances and superior switching performance. It requires Smallest board-space consumption. World’s lowest R DS(on), with Increased efficiency and it is Environmental friendly.
Low parasitic inductance
100% avalanche tested
It consists of Dual sided cooling
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 75 V Enhancement, 6-Pin MG-WDSON
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 7-Pin MG-WDSON
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 7-Pin MG-WDSON BSB104N08NP3GXUSA1
- Infineon OptiMOS 2 Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 6-Pin SOT-363
- Infineon OptiMOS 2 Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 6-Pin SOT-363 BSD214SNH6327XTSA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin IPB65R660CFDAATMA1
- Infineon Isolated OptiMOS 2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 6-Pin SC-88 2N7002DWH6327XTSA1