Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET, 50 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD50N06S409ATMA2

RS Stock No.:: 223-8518
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPD50N06S409ATMA2
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET, 50 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD50N06S409ATMA2

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (15 ชิ้น, ในแพ็คขนาด 15)*

THB574.65

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB614.85

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

19,710 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
15 - 15	THB38.31	THB574.65
30 - 75	THB37.351	THB560.27
90 - 225	THB36.417	THB546.26
240 - 465	THB35.506	THB532.59
480 +	THB34.618	THB519.27

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 223-8518
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPD50N06S409ATMA2
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	50A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Series	OptiMOS
	Package Type	TO-252
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	9mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	17nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	71W
	Forward Voltage Vf	0.95V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 50A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Series OptiMOS
	Package Type TO-252
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 9mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 17nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 71W
	Forward Voltage Vf 0.95V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - IPD50N06S409ATMA2

Infineon OptiMOS Series MOSFET, 60V Maximum Drain Source Voltage, 50A Maximum Continuous Drain Current - IPD50N06S409ATMA2

This MOSFET is a surface-mount N-channel enhancement device designed to control power in electronic systems requiring high current and moderate voltage handling. It operates across a wide temperature range suitable for demanding thermal environments and is intended for use where efficient switching and power management are required.

Features and Benefits:

• Low on-resistance reduces conduction losses during high-current operation
• High continuous drain capability supports sustained 50 A currents
• 60 V drain-source rating enables mid-voltage power stages
• 71 W power dissipation allows handling of elevated thermal loads
• 17 nC typical gate charge enables relatively fast switching transitions
• 20 V gate tolerance accommodates higher gate-drive voltages

Applications

• Suitable for synchronous buck converter switching stages
• Ideal for motor-driver power stages in industrial controllers
• Used with battery-management systems requiring high current handling
• Can be used for DC-DC power conversion in telecoms equipment
• Appropriate for power distribution modules on surface-mounted assemblies

What is the device’s allowable gate-drive range?

The gate may be driven up to 20 V between gate and source without exceeding its gate-voltage limit.

How does the thermal range affect deployment in harsh environments?

It remains operational from −55 °C to 175 °C so it can function in wide-temperature applications where thermal extremes occur.

What packaging and mount method does it use for assembly?

It is supplied in a TO-252 package designed for surface-mount placement on assemblies.

What conduction characteristic indicates efficiency during on-state?

A maximum drain-source resistance of 9 mΩ minimises voltage drop and conduction losses at high currents.

How does forward voltage impact low-voltage power stages?

A forward voltage of 0.95 V limits additional voltage drop across the device during conduction, aiding efficiency.