Infineon Dual OptiMOS 1 Type P, Type N-Channel MOSFET Arrays, 2.3 A, 30 V Enhancement, 6-Pin TSOP

RS Stock No.:: 214-4334
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSL308CH6327XTSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon Dual OptiMOS 1 Type P, Type N-Channel MOSFET Arrays, 2.3 A, 30 V Enhancement, 6-Pin TSOP

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB26,706.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB28,575.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

9,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
3000 - 3000	THB8.902	THB26,706.00
6000 - 9000	THB8.634	THB25,902.00
12000 +	THB8.375	THB25,125.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 214-4334
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSL308CH6327XTSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type P, Type N
	Product Type	MOSFET Arrays
	Maximum Continuous Drain Current Id	2.3A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Series	OptiMOS
	Package Type	TSOP
	Mount Type	Surface
	Pin Count	6
	Maximum Drain Source Resistance Rds	57mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	-5nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	0.6W
	Forward Voltage Vf	1.1V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Transistor Configuration	Dual
	Standards/Approvals	IEC61249-2-21, RoHS
	Width	1.6 mm
	Height	1mm
	Length	2.9mm
	Number of Elements per Chip	1
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type P, Type N
	Product Type MOSFET Arrays
	Maximum Continuous Drain Current Id 2.3A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Series OptiMOS
	Package Type TSOP
	Mount Type Surface
	Pin Count 6
	Maximum Drain Source Resistance Rds 57mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs -5nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 0.6W
	Forward Voltage Vf 1.1V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Transistor Configuration Dual
	Standards/Approvals IEC61249-2-21, RoHS
	Width 1.6 mm
	Height 1mm
	Length 2.9mm
	Number of Elements per Chip 1
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - BSL308CH6327XTSA1

This Infineon OptimOS P3 + OptiMOS 2 MOSFET- an n-channel and a p-channel power MOSFET within the same package-is high efficiency solution for power generation (e.g. solar micro inverter), power supply (e.g. server and telecom) and power consumption (e.g. electric vehicle). It is Avalanche rated

It is 100% lead-free and RoHS compliant

Infineon Dual OptiMOS 1 Type P, Type N-Channel MOSFET Arrays, 2.3 A, 30 V Enhancement, 6-Pin TSOP

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง