Infineon Isolated OptiMOS 2 Type P, Type N-Channel MOSFET, 1.5 A, 20 V Enhancement, 6-Pin TSOP BSL215CH6327XTSA1

RS Stock No.:: 110-7726
Distrelec หมายเลขบทความ:: 304-36-974
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSL215CH6327XTSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon Isolated OptiMOS 2 Type P, Type N-Channel MOSFET, 1.5 A, 20 V Enhancement, 6-Pin TSOP BSL215CH6327XTSA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 60 ชิ้น)*

THB1,173.72

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB1,255.86

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 17,100 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 23 ตุลาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
60 - 720	THB19.562	THB1,173.72
780 - 1440	THB19.073	THB1,144.38
1500 +	THB18.78	THB1,126.80

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 110-7726
Distrelec หมายเลขบทความ:: 304-36-974
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSL215CH6327XTSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type P, Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	1.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	20V
	Package Type	TSOP
	Series	OptiMOS
	Mount Type	Surface
	Pin Count	6
	Maximum Drain Source Resistance Rds	280mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	-12V, +12V
	Maximum Power Dissipation Pd	500mW
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	3nC
	Forward Voltage Vf	800mV
	Transistor Configuration	Isolated
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	2.9mm
	Height	1mm
	Width	1.6mm
	Standards/Approvals	No
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type P, Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 1.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 20V
	Package Type TSOP
	Series OptiMOS
	Mount Type Surface
	Pin Count 6
	Maximum Drain Source Resistance Rds 280mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs -12V, +12V
	Maximum Power Dissipation Pd 500mW
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 3nC
	Forward Voltage Vf 800mV
	Transistor Configuration Isolated
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 2.9mm
	Height 1mm
	Width 1.6mm
	Standards/Approvals No
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard AEC-Q101

Infineon OptiMOS Series MOSFET, 20V Maximum Drain Source Voltage, 1.5A Maximum Continuous Drain Current - BSL215CH6327XTSA1

This MOSFET is a compact surface-mounted power transistor device designed for switching and amplification in automotive and industrial contexts. It comprises paired transistor elements in an isolated configuration to support complementary applications where both P‑channel and N‑channel operation is required. The component is tailored for use on printed circuit boards where a small footprint and industry-specific reliability are important.

Features and Benefits:

• Low gate charge of 3 nC enables faster switching performance
• Maximum continuous drain current of 1.5A supports moderate-load circuits
• Drain-source resistance of 280 mΩ reduces conduction losses
• Rated for 20V drain-source voltage for low-voltage systems
• Power dissipation of 500 mW manages thermal load in compact designs
• Qualified to AEC‑Q101 for elevated automotive stress tolerance

Applications

• Suitable for automotive signal switching and control circuits
• Used with battery management and power-distribution modules
• Ideal for compact DC‑DC converters and voltage regulators
• Can be used for load switching in infotainment subsystems
• Appropriate for embedded motor-control driver stages

What temperature range can it operate within reliably?

It functions across -55 °C to 150 °C, enabling use from cold starts to high under‑bonnet temperatures.

How many transistor elements are provided on the chip?

The device contains two elements per chip arranged in an isolated configuration for flexible circuit topologies.

What package and pin count should designers plan for?

It is supplied in a TSOP package with six pins for surface mounting and layout planning.

Which gate‑source and forward voltage limits must be observed?

The maximum gate‑source voltage is 12V and the forward voltage is 0.8V for diode conduction considerations.