Infineon Dual OptiMOS 2 Type N-Channel MOSFET Arrays, 20 A, 60 V Enhancement, 8-Pin TDSON IPG20N06S4L26AATMA1
- RS Stock No.:
- 223-8523
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPG20N06S4L26AATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 15 ชิ้น)*
THB473.955
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB507.135
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 4,725 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 15 - 15 | THB31.597 | THB473.96 |
| 30 - 75 | THB30.808 | THB462.12 |
| 90 - 225 | THB30.037 | THB450.56 |
| 240 - 465 | THB29.286 | THB439.29 |
| 480 + | THB28.553 | THB428.30 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 223-8523
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPG20N06S4L26AATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET Arrays | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 20A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | TDSON | |
| Series | OptiMOS | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 26mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 33W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 15nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Transistor Configuration | Dual | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 5.15mm | |
| Height | 1mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET Arrays | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 20A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type TDSON | ||
Series OptiMOS | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 26mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 33W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 15nC | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Transistor Configuration Dual | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 5.15mm | ||
Height 1mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon OptiMOS series dual N-channel MOSFET has drain to source voltage of 60 V. It has benefits of larger source lead frame connection for wire bonding and bond wire is 200um for up to 20A current.
Automotive AEC Q101 qualified
MSL1 up to 260°C peak reflow
175°C operating temperature
Green package
Ultra low Rds
100% Avalanche tested
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon Dual OptiMOS 2 Type N-Channel MOSFET Arrays 60 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon Dual OptiMOS 2 Type N-Channel MOSFET & Diode 100 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon Dual OptiMOS 2 Type N-Channel MOSFET & Diode 100 V Enhancement, 8-Pin TDSON IPG20N10S4L35AATMA1
- Infineon Dual OptiMOS 2 Type N-Channel Power Transistor 55 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon Dual OptiMOS 2 Type N-Channel Power Transistor 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon Dual OptiMOS 2 Type N-Channel Power Transistor 100 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon Dual OptiMOS 2 Type N-Channel Power Transistor 100 V Enhancement, 8-Pin TDSON IPG20N10S4L35ATMA1
- Infineon Dual OptiMOS 2 Type N-Channel Power Transistor 55 V Enhancement, 8-Pin TDSON IPG20N06S2L65AATMA1