Infineon Dual OptiMOS 2 N-Channel MOSFET, 20 A, 60 V Enhancement, 8-Pin TDSON IPG20N06S4L26AATMA1

RS Stock No.:: 223-8521
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPG20N06S4L26AATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon Dual OptiMOS 2 N-Channel MOSFET, 20 A, 60 V Enhancement, 8-Pin TDSON IPG20N06S4L26AATMA1

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (5000 ชิ้น, ในม้วนขนาด 5000)*

THB89,245.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB95,490.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 01 มกราคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
5000 - 5000	THB17.849	THB89,245.00
10000 - 10000	THB17.163	THB85,815.00
15000 +	THB16.945	THB84,725.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 223-8521
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPG20N06S4L26AATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	20A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Series	OptiMOS
	Package Type	TDSON
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	26mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	15nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	16V
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	33W
	Transistor Configuration	Dual
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Length	5.15mm
	Width	5.9mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Height	1mm
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 20A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Series OptiMOS
	Package Type TDSON
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 26mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 15nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 16V
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 33W
	Transistor Configuration Dual
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Length 5.15mm
	Width 5.9mm
	Standards/Approvals RoHS
	Height 1mm
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - IPG20N06S4L26AATMA1

Infineon OptiMOS Series MOSFET, 60V Maximum Drain Source Voltage, 20A Maximum Continuous Drain Current - IPG20N06S4L26AATMA1

This MOSFET is a dual N-channel surface-mount transistor designed for power switching and control in demanding environments. It combines low conduction losses with modest gate drive requirements to support high-current applications in automotive and industrial systems where temperature tolerance and Compact packaging are important.

Features and Benefits:

• 60V drain rating enables medium-voltage switching applications
• 20A continuous drain current supports substantial load currents
• 26mΩ Rds(on) reduces conduction losses during operation
• 15nC typical gate charge minimises gate-drive energy
• 33W maximum power dissipation allows significant heat handling
• 16V maximum gate-source protection preserves gate integrity

Applications

• Suitable for automotive power stages requiring AEC-Q101 qualification
• Used for DC-DC converters in vehicular systems
• Ideal for motor-drive half-bridge circuits on Compact boards
• Can be used for high-current load switching in industrial control
• Used with thermal management designs for elevated operating temperatures

What package type is used for Compact PCB implementation?

It is supplied in an 8-pin TDSON package suited to surface mounting.

How well does it cope with elevated ambient temperatures?

The device is rated to operate up to 175°C maximum operating temperature.

What protection limits exist for the gate electrode?

Gate excursions are limited by a 16V maximum gate-source voltage.

How many transistor elements are present per chip?

There are two elements per chip in the dual configuration.

What environmental or materials standard does it meet?

The component has RoHS approval for restricted-substance compliance.