Infineon Isolated OptiMOS™ 2 Type N, Type P-Channel MOSFET, 1.5 A, 30 V Enhancement, 6-Pin TSOP-6 BSL316CH6327XTSA1
- RS Stock No.:
- 166-1082
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSL316CH6327XTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB16,617.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB17,781.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- เพิ่มอีก 30,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 26 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB5.539 | THB16,617.00 |
| 6000 - 9000 | THB5.373 | THB16,119.00 |
| 12000 + | THB5.212 | THB15,636.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 166-1082
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSL316CH6327XTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N, Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 1.5A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | TSOP-6 | |
| Series | OptiMOS™ | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 6 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 280mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 2.4nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 500mW | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Forward Voltage Vf | 0.86V | |
| Transistor Configuration | Isolated | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 2.9mm | |
| Width | 1.6 mm | |
| Height | 1mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N, Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 1.5A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type TSOP-6 | ||
Series OptiMOS™ | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 6 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 280mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 2.4nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 500mW | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Forward Voltage Vf 0.86V | ||
Transistor Configuration Isolated | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 2.9mm | ||
Width 1.6 mm | ||
Height 1mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon OptiMOS™ Dual Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon Isolated OptiMOS™ 2 Type N 1.5 A 6-Pin TSOP-6 BSL316CH6327XTSA1
- Infineon Isolated OptiMOS 2 Type P 1.5 A 6-Pin TSOP
- Infineon Isolated OptiMOS 2 Type P 1.5 A 6-Pin TSOP BSL215CH6327XTSA1
- Infineon Isolated OptiMOS P 2 Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 6-Pin TSOP
- Infineon Isolated OptiMOS P 2 Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 6-Pin TSOP BSL308PEH6327XTSA1
- Vishay Dual TrenchFET 2 Type N 3.9 A 6-Pin TSOP
- Vishay Dual TrenchFET 2 Type N 3.9 A 6-Pin TSOP SI3585CDV-T1-GE3
- Vishay SQ Rugged Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 6-Pin TSOP-6