Vishay Dual TrenchFET 2 Type N, Type P-Channel MOSFET, 3.9 A, 20 V Enhancement, 6-Pin TSOP SI3585CDV-T1-GE3

RS Stock No.:: 180-7911
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI3585CDV-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay Dual TrenchFET 2 Type N, Type P-Channel MOSFET, 3.9 A, 20 V Enhancement, 6-Pin TSOP SI3585CDV-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*

THB312.28

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB334.14

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

2,780 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
20 - 740	THB15.614	THB312.28
760 - 1480	THB15.224	THB304.48
1500 +	THB14.989	THB299.78

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 180-7911
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI3585CDV-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N, Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id	3.9A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	20V
	Package Type	TSOP
	Series	TrenchFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	6
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	12 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	3.2nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	1.4W
	Transistor Configuration	Dual
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	1.65 mm
	Length	3.05mm
	Standards/Approvals	No
	Height	1mm
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N, Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id 3.9A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 20V
	Package Type TSOP
	Series TrenchFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 6
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 12 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 3.2nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 1.4W
	Transistor Configuration Dual
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 1.65 mm
	Length 3.05mm
	Standards/Approvals No
	Height 1mm
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard No

Datasheet

COO (Country of Origin):: CN

Vishay MOSFET

The Vishay surface mount dual channel (both P and N-channels) MOSFET is a new age product with a drain-source voltage of 20V. The MOSFET has a drain-source resistance of 58mohm at a gate-source voltage of 4.5V. It has continuous drain currents of 3.9A and 2.1A. It has a maximum power rating of 1.4W and 1.3W. It has been optimized, for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits

• Halogen free

• Lead (Pb) free

• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C

• TrenchFET power MOSFET

Applications

• DC/DC converters

• Drivers: motor, solenoid, relay

• Load switch for portable devices

Certifications

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg tested