Vishay SIEH3812EW N channel-Channel MOSFET, 322 A, 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 8 x 8 SIEH3812EW-T1-GE3
- RS Stock No.:
- 736-346
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIEH3812EW-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
N
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 1 ชิ้น)*
THB288.63
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB308.83
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 14 พฤษภาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ม้วน | ต่อม้วน |
|---|---|
| 1 - 9 | THB288.63 |
| 10 - 49 | THB178.72 |
| 50 - 99 | THB138.62 |
| 100 + | THB93.57 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 736-346
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIEH3812EW-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | N channel | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 322A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 80V | |
| Series | SIEH3812EW | |
| Package Type | PowerPAK 8 x 8 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.00175Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 417W | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 154nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 8mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Width | 8mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type N channel | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 322A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 80V | ||
Series SIEH3812EW | ||
Package Type PowerPAK 8 x 8 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.00175Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 417W | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 154nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 8mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Width 8mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- DE
The Vishay Power MOSFET delivers exceptional performance in high-efficiency applications, featuring an N-Channel design that supports significant continuous drain current, Ideal for Advanced energy management solutions.
Fully lead (Pb)-free and halogen-free construction for environmental compliance
Tested at 100% for R and UIS to guarantee reliability
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SIHH Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK 8 x 8 SIHH150N60E-T1-GE3
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK 8 x 8
- Vishay E Series N channel-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK 8 x 8 SIHH075N65E-T1-GE3
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK 8 x 8 SIHH240N60E-T1-GE3
- Vishay SIHH Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK 8 x 8 SIHH250N60EF-T1GE3
- Vishay EF Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK 8 x 8 SIHH186N60EF-T1GE3
- Vishay SIHH Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK 8 x 8 SIHH085N60EF-T1GE3
- Vishay SIHH Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK 8 x 8 SIHH155N60EF-T1GE3