Vishay SiHG21N80AE Type N-Channel MOSFET, 17.4 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-247 SIHG21N80AE-GE3
- RS Stock No.:
- 188-4989
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHG21N80AE-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB365.59
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB391.182
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 44 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 4 | THB182.795 | THB365.59 |
| 6 - 10 | THB178.225 | THB356.45 |
| 12 + | THB175.48 | THB350.96 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 188-4989
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHG21N80AE-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 17.4A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 800V | |
| Series | SiHG21N80AE | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 235mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 32W | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 48nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 15.87mm | |
| Width | 5.31 mm | |
| Height | 20.82mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Distrelec Product Id | 304-38-848 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 17.4A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 800V | ||
Series SiHG21N80AE | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 235mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 32W | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 48nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 15.87mm | ||
Width 5.31 mm | ||
Height 20.82mm | ||
Automotive Standard No | ||
Distrelec Product Id 304-38-848 | ||
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SiHG21N80AE Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Vishay SiHW21N80AE Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-247 SIHW21N80AE-GE3
- Vishay SiHW21N80AE Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHB21N80AE-GE3
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-247