Vishay E Type N-Channel MOSFET, 17.4 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-247 SIHG21N80AE-GE3

RS Stock No.:: 188-4989
Distrelec หมายเลขบทความ:: 304-38-848
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIHG21N80AE-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay E Type N-Channel MOSFET, 17.4 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-247 SIHG21N80AE-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB365.59

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB391.182

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

44 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
2 - 4	THB182.795	THB365.59
6 - 10	THB178.225	THB356.45
12 +	THB175.48	THB350.96

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 188-4989
Distrelec หมายเลขบทความ:: 304-38-848
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIHG21N80AE-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	17.4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	800V
	Package Type	TO-247
	Series	E
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	235mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	48nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	32W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Height	20.82mm
	Width	5.31mm
	Length	15.87mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 17.4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 800V
	Package Type TO-247
	Series E
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 235mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 48nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 32W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Height 20.82mm
	Width 5.31mm
	Length 15.87mm
	Automotive Standard No

Datasheet SIHG21N80AE-GE3

Vishay Series E Power MOSFET, 800V Drain Source Voltage, 17.4A Drain Current - SIHG21N80AE-GE3

This power MOSFET is a high-voltage N-channel transistor designed for switching and power-conversion tasks in industrial environments. It operates across a wide temperature range, supports substantial continuous current, and is supplied in a through-hole TO-247AC package suitable for applications requiring robust mounting and straightforward thermal interfacing.

Features and Benefits:

• 800V blocking capability enabling high-voltage system design • 17.4 A continuous drain current for substantial load handling • 235 mΩ Rds(on) to reduce conduction losses under load • 48 nC typical gate charge for predictable switching performance • 179W power dissipation capacity for demanding power stages • Rated to 150 °C for elevated-temperature operation

Applications

• Suitable for industrial motor-drive inverter stages • Ideal for high-voltage power supplies and converters • Used for renewable-energy inverter and PV optimiser designs • Can be used for traction and utility power electronics • Suitable for hard-switched and soft-switched semiconductor stages

What mounting considerations apply for thermal management?

The through-hole TO-247AC format enables direct bolting to heatsinks and effective use of insulating pads or thermal compound to transfer dissipated power to external cooling.

How does the gate-source voltage rating affect gate-drive design?

With a maximum gate-source allowance of 30 V, gate drivers should be selected to operate within this window and provide sufficient drive to achieve the specified gate charge without exceeding the voltage limit.

What environmental extremes can it tolerate during operation?

The device is specified to function down to -55 °C and up to 150 °C, permitting use in installations with wide ambient and junction temperature excursions.

Which electrical parameter dictates switching-energy considerations?

The typical gate charge of 48 nC combined with the device’s on-resistance and voltage rating primarily determines energy losses during turn-on and turn-off events.