Vishay E Type N-Channel MOSFET, 13 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-263

RS Stock No.:: 210-4969
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIHB15N80AE-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay E Type N-Channel MOSFET, 13 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-263

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*

THB2,925.95

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB3,130.75

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

2,950 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อหลอด*
50 - 50	THB58.519	THB2,925.95
100 - 150	THB57.247	THB2,862.35
200 +	THB55.975	THB2,798.75

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 210-4969
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIHB15N80AE-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	13A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	800V
	Package Type	TO-263
	Series	E
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	304mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	158W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	35nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	9.65mm
	Standards/Approvals	No
	Height	4.06mm
	Length	14.61mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 13A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 800V
	Package Type TO-263
	Series E
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 304mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 158W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 35nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 9.65mm
	Standards/Approvals No
	Height 4.06mm
	Length 14.61mm
	Automotive Standard No

Datasheet - SIHB15N80AE

Vishay Series E Power MOSFET, 800V Drain Source Voltage, 13A Continuous Drain Current - SIHB15N80AE-GE3

This power MOSFET is a high-voltage N-channel transistor intended for power switching in industrial electronics. It is designed for surface-mount assembly in TO-263 packages and operates across a wide thermal range for demanding applications where robust voltage handling and Compact mounting are required.

Features and Benefits:

• 800V drain rating enables high-voltage switching applications • 13 A continuous drain current supports substantial load currents • 304 mΩ Rds(on) reduces conduction losses during operation • 35 nC typical gate charge enables efficient switching control • 30V maximum gate drive accommodates common gate-drive voltages • 156W power dissipation improves thermal handling under load

Applications

• Suitable for high-voltage motor drive stages in automation systems • Ideal for power supplies requiring Compact surface-mount switches • Used for industrial inverter and converter switching duties • Can be used for high-voltage protection and clamp circuits

What temperature range can it operate across?

It functions from -55 °C up to a maximum junction temperature of 150 °C for high-temperature environments.

What package and mounting method does it use?

It is supplied in a TO-263 package intended for surface-mount installation on boards.

What gate drive limitations should designers observe?

The device must not exceed a gate-to-source voltage of 30V to avoid gate stress.

How does its power dissipation influence thermal design?

The 156W rating guides heatsinking and PCB copper allocation to keep junction temperatures within limits.

What pin configuration is provided?

The component offers a three-pin arrangement compatible with standard power MOSFET layouts.