Vishay SiHB17N80E N-Channel MOSFET, 15 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHB17N80E-GE3

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
ขออภัย เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกเมื่อใด
RS Stock No.:
204-7226
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SIHB17N80E-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

15A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Series

SiHB17N80E

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

290mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

122nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Power Dissipation Pd

208W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

10.67mm

Width

4.83mm

Height

15.88mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay E Series Power MOSFET has a low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg and a low input capacitance (Ciss).

Ultra low gate charge (Qg)

Avalanche energy rated (UIS)

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง