Vishay E N-Channel MOSFET, 15 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SIHP17N80AE-GE3
- RS Stock No.:
- 210-4993
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHP17N80AE-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก
เพิ่มอีก 100 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ 2%
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*
THB2,555.65
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB2,734.55
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 550 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 50 - 50 | THB51.113 | THB2,555.65 | - |
| 100 - 150 | THB50.002 | THB2,500.10 | 2% |
| 200 + | THB48.89 | THB2,444.50 | 4% |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 210-4993
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHP17N80AE-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 15A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 800V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | E | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 250mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 41nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 179W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 14.69mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 9.96mm | |
| Height | 4.24mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 15A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 800V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series E | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 250mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 41nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 179W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 14.69mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 9.96mm | ||
Height 4.24mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay E Series Power MOSFET has TO-220AB package type with 15 A drain current.
Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
Low effective capacitance (Co(er))
Reduced switching and conduction losses
Avalanche energy rated (UIS)
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay E N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SIHP17N80AE-GE3
- Vishay E N-Channel Power MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHB17N80AE-GE3
- Vishay E N-Channel Power MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-247AC SIHG17N80AE-GE3
- Vishay E N-Channel MOSFET 850 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SiHP17N80AEF-GE3
- Vishay E N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SIHA21N80AE-GE3
- Vishay E N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SIHA17N80AE-GE3
- Vishay E N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SIHA15N80AE-GE3
- Vishay E N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-247 SIHG11N80AE-GE3