Vishay SIHB21N80AE N channel-Channel MOSFET, 17.4 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHB21N80AE-T1-GE3

N
ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 1 ชิ้น)*

THB158.42

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB169.51

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 21 กันยายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ม้วน
ต่อม้วน
1 - 9THB158.42
10 - 49THB98.03
50 - 99THB76.24
100 +THB51.49

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
735-128
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SIHB21N80AE-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

N channel

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

17.4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Package Type

TO-263

Series

SIHB21N80AE

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.205Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

48nC

Maximum Power Dissipation Pd

179W

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

0.355mm

Standards/Approvals

RoHS

Length

0.42mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
IL
The Vishay Power MOSFET designed for efficient operation in power supplies and other applications, aimed at reducing energy losses and enhancing reliability.

Compact D2PAK package for space-saving designs

Reduced switching and conduction losses for improved performance

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง