Vishay E Type N-Channel MOSFET, 21 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHB24N80AE-GE3

RS Stock No.:: 228-2847
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIHB24N80AE-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay E Type N-Channel MOSFET, 21 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHB24N80AE-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB260.89

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB279.152

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

สต็อกสุดท้ายของ RS

944 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
2 - 8	THB130.445	THB260.89
10 - 18	THB127.185	THB254.37
20 - 24	THB124.00	THB248.00
26 - 98	THB120.90	THB241.80
100 +	THB117.88	THB235.76

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	21A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	800V
	Package Type	TO-263
	Series	E
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	184mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30 V
	Maximum Power Dissipation Pd	208W
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	59nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 21A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 800V
	Package Type TO-263
	Series E
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 184mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V
	Maximum Power Dissipation Pd 208W
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 59nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Vishay E Type N-Channel MOSFET, 21 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHB24N80AE-GE3

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง