Vishay TrenchFET Gen IV N-Channel MOSFET, 11 A, 45 V Enhancement, 4-Pin SO-8 SIJ150DP-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
ขออภัย เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกเมื่อใด
RS Stock No.:
200-6841
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SIJ150DP-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

11A

Maximum Drain Source Voltage Vds

45V

Package Type

SO-8

Series

TrenchFET Gen IV

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

4.1mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

65.7W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

70nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

3.4mm

Height

3.4mm

Width

980μm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay SIJ150DP-T1-GE3 is a N-channel 45V (D-S) MOSFET.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

Very low Qg and Qoss reduce power loss and improve efficiency

Flexible leads provide resilience to mechanical stress

100 % Rg and UIS tested

Qgd/Qgs ratio < 1 optimizes switching characteristics

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง