Vishay TrenchFET Gen IV Type N-Channel MOSFET, 245 A, 30 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK (8x8L)

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
ขออภัย เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกเมื่อใด
RS Stock No.:
252-0315
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SQJQ186E-T1_GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

245A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

PowerPAK (8x8L)

Series

TrenchFET Gen IV

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0014mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

214W

Forward Voltage Vf

1.1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

43nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

1.9mm

Standards/Approvals

AEC-Q101

Length

6.15mm

Width

4.9 mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Vishay automotive MOSFETs are manufactured on a dedicated process flow to in still ruggedness. Rated for a maximum junction temperature of 175 °C, the vishay siliconix AEC-Q101 qualified SQ series features low on-resistance n- and p-channel trench FET technologies in lead (Pb)- and halogen-free SO packages.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

AEC-Q101 qualified

100 % Rg and UIS tested

Thin 1.9 mm height

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง