Vishay TrenchFET Gen IV Type N-Channel MOSFET, 40 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SIS476DN-T1-GE3

RS Stock No.:: 180-7743
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIS476DN-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay TrenchFET Gen IV Type N-Channel MOSFET, 40 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SIS476DN-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB296.40

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB317.10

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 06 กรกฎาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
10 - 740	THB29.64	THB296.40
750 - 1490	THB28.899	THB288.99
1500 +	THB28.454	THB284.54

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 180-7743
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIS476DN-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	40A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Package Type	PowerPAK 1212-8
	Series	TrenchFET Gen IV
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.0035Ω
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	52W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	51nC
	Forward Voltage Vf	1.1V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	3.61mm
	Width	3.61 mm
	Height	1.12mm
	Standards/Approvals	RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 40A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Package Type PowerPAK 1212-8
	Series TrenchFET Gen IV
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0035Ω
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 52W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 51nC
	Forward Voltage Vf 1.1V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 3.61mm
	Width 3.61 mm
	Height 1.12mm
	Standards/Approvals RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21
	Automotive Standard No

Datasheet

COO (Country of Origin):: CN

The Vishay SIS476DN is a N-channel MOSFET having drain to source(Vds) voltage of 30V. The gate to source voltage(VGS) is 20V. It is having Power PAK 1212-8 package. It offers drain to source resistance (RDS.) 0.0025ohms at 10VGS and 0.0035ohms at 4.5VGS. Maximum drain current 40A.

Trench FET gen IV power MOSFET

100 % Rg and UIS tested

Vishay TrenchFET Gen IV Type N-Channel MOSFET, 40 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SIS476DN-T1-GE3

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง