Vishay TrenchFET Gen IV Type N-Channel MOSFET, 11 A, 45 V Enhancement, 4-Pin SO-8

RS Stock No.:: 200-6843
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIJ150DP-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay TrenchFET Gen IV Type N-Channel MOSFET, 11 A, 45 V Enhancement, 4-Pin SO-8

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 25 ชิ้น)*

THB878.20

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB939.675

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 03 กรกฎาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
25 - 725	THB35.128	THB878.20
750 - 1475	THB34.25	THB856.25
1500 +	THB33.723	THB843.08

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 200-6843
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIJ150DP-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	11A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	45V
	Series	TrenchFET Gen IV
	Package Type	SO-8
	Mount Type	Surface
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	4.1mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.1V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	70nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	65.7W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Width	0.98 mm
	Length	3.4mm
	Height	3.4mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 11A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 45V
	Series TrenchFET Gen IV
	Package Type SO-8
	Mount Type Surface
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 4.1mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.1V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 70nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 65.7W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Width 0.98 mm
	Length 3.4mm
	Height 3.4mm
	Automotive Standard No

Document- SIJ150DP-T1-GE3

The Vishay SIJ150DP-T1-GE3 is a N-channel 45V (D-S) MOSFET.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

Very low Qg and Qoss reduce power loss and improve efficiency

Flexible leads provide resilience to mechanical stress

100 % Rg and UIS tested

Qgd/Qgs ratio < 1 optimizes switching characteristics

Vishay TrenchFET Gen IV Type N-Channel MOSFET, 11 A, 45 V Enhancement, 4-Pin SO-8

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง