N-Channel MOSFET, 4.1 A, 800 V, 3-Pin IPAK Vishay SIHU4N80AE-GE3

RS Stock No.:: 188-4879
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIHU4N80AE-GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay

N-Channel MOSFET, 4.1 A, 800 V, 3-Pin IPAK Vishay SIHU4N80AE-GE3

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ราคา / Price Each (In a Tube of 75)

THB40.175

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB42.987

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

สินค้าหมดชั่วคราว (Temporarily out of stock) - จะเป็นแบ๊คออเดอร์จัดส่ง (back order for despatch) 23/03/2025, จัดส่งภายใน (delivery within) 4-6 วันทำการ (working days)*

* วันที่จัดส่งอาจเปลี่ยนแปลงได้ตามจำนวนสินค้าที่คุณเลือกหรือที่อยู่จัดส่งของคุณ

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

Units	ต่อหน่วย	Per Tube**
75 - 75	THB40.175	THB3,013.125
150 - 225	THB39.302	THB2,947.65
300 +	THB38.429	THB2,882.175

**ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 188-4879
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIHU4N80AE-GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay

Datasheet SIHU4N80AE-GE3

คุณสมบัติ	Value
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	4.1 A
Maximum Drain Source Voltage	800 V
Package Type	IPAK (TO-251)
Mounting Type	Through Hole
Pin Count	3
Maximum Drain Source Resistance	1.44 Ω
Channel Mode	Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage	4V
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Maximum Power Dissipation	62.5 W
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	±30 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Width	2.38mm
Number of Elements per Chip	1
Length	6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs	11 nC @ 10 V
Height	6.22mm
Forward Diode Voltage	1.2V
Minimum Operating Temperature	-55 °C

N-Channel MOSFET, 4.1 A, 800 V, 3-Pin IPAK Vishay SIHU4N80AE-GE3

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง