Vishay IRFU420 Type N-Channel MOSFET, 2.4 A, 500 V Enhancement, 3-Pin IPAK IRFU420PBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB393.06

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB420.57

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 2,250 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
10 - 740THB39.306THB393.06
750 - 1490THB38.321THB383.21
1500 +THB37.731THB377.31

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
152-6352
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IRFU420PBF
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

2.4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

500V

Series

IRFU420

Package Type

IPAK

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

19nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

2.5W

Forward Voltage Vf

1.6V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Width

6.22mm

Height

2.39mm

Length

6.73mm

Automotive Standard

No

Vishay IRFU420 Series Power MOSFET, 500V Maximum Drain Source Voltage, 2.4A Maximum Continuous Drain Current - IRFU420PBF


This power MOSFET is a high-voltage switching transistor designed for surface-mounted power conversion and control tasks in industrial systems. It operates as an N-channel enhancement-mode device suited to applications requiring elevated drain-source voltage handling and moderate continuous current, with an IPAK 3-pin package intended for Compact board-level integration.

Features and Benefits:


• 500V drain-source withstand for high-voltage switching capability • 3 Ω RDS(on) for predictable on-state conduction losses • 2.4 A continuous drain current for sustained load operation • 19 nC typical gate charge to aid switching energy estimation • 42W maximum power dissipation for thermal design margin • -55 °C to 150 °C operating range for wide thermal environments

Applications


• Suitable for industrial motor-drive gate switching stages • Ideal for high-voltage switch-mode power supplies • Used for line-voltage protection and snubber circuits • Can be used in automation control relays and drivers

What gate voltage limits should be observed during design?


Keep gate excursions within ±20V relative to source to prevent gate-oxide overstress and ensure long-term switching reliability.

How should thermal constraints be managed on the PCB?


Use adequate copper area and thermal vias to dissipate up to 42 W, and evaluate junction-to-ambient resistance for your cooling strategy.

What switching performance considerations arise from the gate charge?


Budget driver current and slew rates around the 19 nC gate charge Value to control switching losses and electromagnetic emissions during transitions.

Are there specific mounting recommendations for reliable operation?


As a surface-mount IPAK device, ensure secure solder joints and an appropriate footprint for heat spreading to maintain temperature within the -55 °C to 150 °C operational band.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง