Vishay IRFU420 Type N-Channel Power MOSFET, 2.4 A, 500 V Enhancement, 3-Pin IPAK IRFU420PBF

RS Stock No.:: 152-6352
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFU420PBF
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay IRFU420 Type N-Channel Power MOSFET, 2.4 A, 500 V Enhancement, 3-Pin IPAK IRFU420PBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB393.06

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB420.57

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 2,240 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 24 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
10 - 740	THB39.306	THB393.06
750 - 1490	THB38.321	THB383.21
1500 +	THB37.731	THB377.31

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 152-6352
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFU420PBF
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	2.4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	500V
	Series	IRFU420
	Package Type	IPAK
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	3Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	42W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	19nC
	Forward Voltage Vf	1.6V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Width	6.22mm
	Height	2.39mm
	Length	6.73mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 2.4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 500V
	Series IRFU420
	Package Type IPAK
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 3Ω
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 42W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 19nC
	Forward Voltage Vf 1.6V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals RoHS
	Width 6.22mm
	Height 2.39mm
	Length 6.73mm
	Automotive Standard No

Vishay IRFU420 Series Power MOSFET, 500V Maximum Drain Source Voltage, 42W Maximum Power Dissipation - IRFU420PBF

This power MOSFET is a high-voltage N-channel transistor designed to switch and control power in demanding electronic systems. It operates as an enhancement-mode device suitable for surface-mounted assemblies and complies with RoHS environmental standards. The component is intended for circuits requiring high blocking voltage and moderate current handling while accommodating elevated operating temperatures.

Features and Benefits:

• 500V drain-to-source rating enables high-voltage switching
• 3Ω Rds(on) delivers predictable conduction loss control
• 2.4A continuous drain current supports moderate-load applications
• 42W maximum power dissipation allows substantial thermal throughput
• 19nC typical gate charge at Vgs gives predictable switching energy
• ±20V gate-source tolerance permits flexible drive voltages

Applications

• Suitable for high-voltage power supply switching stages
• Ideal for industrial motor drive gate stages
• Used with DC-DC converters in elevated temperature environments
• Can be used for electronic load and protection circuits
• Appropriate for SMPS and power management modules

What temperature range can it withstand in operation?

It is specified to operate from -55°C up to 150°C, allowing use in environments with wide thermal variation.

What package form should I expect for assembly?

The device is supplied in an IPAK surface-mount package configured with three pins for straightforward board mounting.

How does the forward voltage affect low-voltage operation?

The forward voltage of 1.6V characterises conduction across the device during forward-biased conditions and influences on-state voltage drop in low-voltage circuits.

Is this component intended for automotive applications?

It is not classified to automotive standards, so it should be evaluated against vehicle-specific qualification requirements before use in automotive systems.