Vishay SiHU4N80AE Type N-Channel MOSFET, 4.1 A, 800 V Enhancement, 3-Pin IPAK SIHU4N80AE-GE3

RS Stock No.:: 188-4943
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIHU4N80AE-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay SiHU4N80AE Type N-Channel MOSFET, 4.1 A, 800 V Enhancement, 3-Pin IPAK SIHU4N80AE-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB245.20

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB262.35

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 11 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
5 - 15	THB49.04	THB245.20
20 - 35	THB47.814	THB239.07
40 +	THB47.076	THB235.38

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 188-4943
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIHU4N80AE-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	4.1A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	800V
	Series	SiHU4N80AE
	Package Type	IPAK
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.44Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	11nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30 V
	Maximum Power Dissipation Pd	62.5W
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	6.73mm
	Height	6.22mm
	Width	2.38 mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 4.1A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 800V
	Series SiHU4N80AE
	Package Type IPAK
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.44Ω
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 11nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V
	Maximum Power Dissipation Pd 62.5W
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 6.73mm
	Height 6.22mm
	Width 2.38 mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet SIHU4N80AE-GE3

E Series Power MOSFET

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Ciss)

Reduced switching and conduction losses

APPLICATIONS

Server and telecom power supplies

Switch mode power supplies (SMPS)

Power factor correction power supplies (PFC)

Vishay SiHU4N80AE Type N-Channel MOSFET, 4.1 A, 800 V Enhancement, 3-Pin IPAK SIHU4N80AE-GE3

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง