Vishay Single 1 Type N-Channel Power MOSFET, 4.1 A, 800 V, 3-Pin IRFBE30LPBF
- RS Stock No.:
- 180-8664
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFBE30LPBF
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB501.70
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB536.80
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- 20 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 10 | THB100.34 | THB501.70 |
| 15 - 20 | THB97.83 | THB489.15 |
| 25 + | THB96.324 | THB481.62 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 180-8664
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFBE30LPBF
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 4.1A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 800V | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3Ω | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.8V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 125W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 78nC | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 4.1A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 800V | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3Ω | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.8V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 125W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 78nC | ||
Transistor Configuration Single | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | ||
Number of Elements per Chip 1 | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The Vishay IRFBE30L is a N-channel power MOSFET having drain to source(Vds) voltage of 800V.The gate to source voltage(VGS) is 20V. It is having I2PAK (TO-262) and D2PAK (TO-263) package. It offers drain to source resistance (RDS.) 3ohms at 10VGS. Maximum drain current 4.1 A.
Dynamic dV/dt rating
Repetitive avalanche rated
Fast switching
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay Single 1 Type N-Channel Power MOSFET 800 V, 3-Pin
- Vishay Single 1 Type N-Channel Power MOSFET 500 V TO-220FP
- Vishay Single 1 Type N-Channel Power MOSFET 600 V, 3-Pin
- Vishay Single 1 Type N-Channel Power MOSFET 60 V TO-220AB
- Vishay Single 1 Type N-Channel Power MOSFET 500 V
- Vishay Single 1 Type N-Channel Power MOSFET 600 V, 3-Pin TO-220AB
- Vishay Single 1 Type N-Channel Power MOSFET 200 V TO-263
- Vishay Single 1 Type N-Channel Power MOSFET 500 V