Vishay Single 1 Type N-Channel Power MOSFET, 4.1 A, 800 V, 3-Pin TO-262 IRFBE30LPBF

RS Stock No.:: 180-8664
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFBE30LPBF
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay Single 1 Type N-Channel Power MOSFET, 4.1 A, 800 V, 3-Pin TO-262 IRFBE30LPBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB501.70

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB536.80

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 20 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 22 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
5 - 10	THB100.34	THB501.70
15 - 20	THB97.83	THB489.15
25 +	THB96.324	THB481.62

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 180-8664
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFBE30LPBF
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Product Type	Power MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	4.1A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	800V
	Package Type	TO-262
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	3Ω
	Forward Voltage Vf	1.8V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	78nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Maximum Power Dissipation Pd	125W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Transistor Configuration	Single
	Standards/Approvals	IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC
	Number of Elements per Chip	1
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Product Type Power MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 4.1A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 800V
	Package Type TO-262
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 3Ω
	Forward Voltage Vf 1.8V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 78nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Maximum Power Dissipation Pd 125W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Transistor Configuration Single
	Standards/Approvals IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC
	Number of Elements per Chip 1
	Automotive Standard No

Datasheet

COO (Country of Origin):: CN

Vishay Power MOSFET, 800V Maximum Drain Source Voltage, 4.1A Maximum Continuous Drain Current - IRFBE30LPBF

This power MOSFET is a high-voltage N-channel switching transistor designed for power conversion and control tasks in industrial environments. It operates across a wide thermal range and is suited to circuits requiring robust high-voltage handling and moderate continuous current capability in a through-hole power package.

Features and Benefits:

• 800V drain-source rating enables high-voltage switching applications • 4.1A continuous drain current supports sustained load currents • 3Ω on-resistance reduces conduction losses in low-duty circuits • 125W power dissipation allows handling of significant power in constrained footprints • 78nC typical gate charge permits predictable switching energy budgeting • 20V gate-source limit protects gate drive selection and circuit design

Applications

• Suitable for industrial power supplies and DC-DC converters • Ideal for high-voltage motor-drive front-ends with moderate current • Used for snubber or clamp circuits in high-voltage systems • Can be used for switching elements in welding or plasma-control electronics

What temperature range can it withstand during operation?

It is specified to function from -55°C up to 150°C, enabling use in harsh thermal conditions.

What package should be considered for PCB layout and mounting?

The TO-262 package requires through-hole mounting and larger copper areas for heat dissipation.

How does the gate charge impact driver selection?

A typical gate charge of 78nC at the gate drive voltage determines the required driver current and switching losses during transitions.

Are there limitations on gate voltage application?

The maximum permissible gate-source voltage is 20V, so gate drivers and protection networks must prevent exceedance.