Vishay Dual SIA931DJ Type P-Channel MOSFET, -4.5 A, -30 V Enhancement, 6-Pin PowerPack SIA931DJ-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*

THB210.44

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB225.18

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 2,360 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
20 - 740THB10.522THB210.44
760 - 1480THB10.259THB205.18
1500 +THB10.101THB202.02

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
180-7884
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SIA931DJ-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

-4.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

-30V

Series

SIA931DJ

Package Type

PowerPack

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.1Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

5W

Forward Voltage Vf

-1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

4.1nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Transistor Configuration

Dual

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

2.15mm

Height

0.8mm

Width

2.15 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN
The Vishay SIA931DJ is a dual P-channel MOSFET having drain to source(Vds) voltage of -30V.The gate to source voltage(VGS) is 20V. It is having Power PAK SC-70 package. It offers drain to source resistance (RDS.) 0.065ohms at 10VGS and 0.08ohms at 6VGS. Maximum drain current -4.5A.

Trench FET Gen III power MOSFET

Thermally enhanced Power PAK SC-70 package small footprint area low on resistance

100 % Rg tested

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง