Vishay Dual Plus Integrated Schottky 2 Type P-Channel MOSFET, 4.5 A, 30 V, 6-Pin PowerPAK SC-70-6L SIA817EDJ-T1-GE3
- RS Stock No.:
- 180-7827
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIA817EDJ-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 25 ชิ้น)*
THB272.25
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB291.25
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 08 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 25 - 725 | THB10.89 | THB272.25 |
| 750 - 1475 | THB10.618 | THB265.45 |
| 1500 + | THB10.455 | THB261.38 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 180-7827
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIA817EDJ-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 4.5A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | PowerPAK SC-70-6L | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 6 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.065Ω | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 6.6nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 12 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 6.5W | |
| Forward Voltage Vf | 0.56V | |
| Transistor Configuration | Dual Plus Integrated Schottky | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 0.75mm | |
| Width | 2.05 mm | |
| Length | 2.05mm | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 4.5A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type PowerPAK SC-70-6L | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 6 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.065Ω | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 6.6nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 12 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 6.5W | ||
Forward Voltage Vf 0.56V | ||
Transistor Configuration Dual Plus Integrated Schottky | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 0.75mm | ||
Width 2.05 mm | ||
Length 2.05mm | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay Dual Plus Integrated Schottky 2 Type P-Channel MOSFET 30 V, 6-Pin PowerPAK SC-70-6L
- Vishay Single 1 Type P-Channel MOSFET 20 V, 6-Pin PowerPAK SC-70-6L
- Vishay Single 1 Type P-Channel MOSFET 20 V, 6-Pin PowerPAK SC-70-6L SIA437DJ-T1-GE3
- Vishay SIA Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 7-Pin SC-70-6L
- Vishay Siliconix TrenchFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 6-Pin SC-70-6L
- Vishay SIA Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 7-Pin SC-70-6L SIA112LDJ-T1-GE3
- Vishay Siliconix TrenchFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 6-Pin SC-70-6L SiA106DJ-T1-GE3
- Vishay SIA Type P-Channel MOSFET 20 V PowerPAK SC-70 SIA4265EDJ-T1-GE3
