Vishay Dual SI7997DP Type N-Channel MOSFET, -60 A, -30 V Enhancement, 8-Pin PowerPack

RS Stock No.:: 180-7325
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI7997DP-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay Dual SI7997DP Type N-Channel MOSFET, -60 A, -30 V Enhancement, 8-Pin PowerPack

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB127,962.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB136,920.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

สต็อกสุดท้ายของ RS

3,000 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
3000 - 3000	THB42.654	THB127,962.00
6000 - 9000	THB41.374	THB124,122.00
12000 +	THB40.133	THB120,399.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 180-7325
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI7997DP-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	-60A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	-30V
	Series	SI7997DP
	Package Type	PowerPack
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	5.5mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	29W
	Forward Voltage Vf	-1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	51nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Transistor Configuration	Dual
	Standards/Approvals	No
	Width	5.26 mm
	Height	1.12mm
	Length	6.25mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id -60A
	Maximum Drain Source Voltage Vds -30V
	Series SI7997DP
	Package Type PowerPack
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 5.5mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 29W
	Forward Voltage Vf -1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 51nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Transistor Configuration Dual
	Standards/Approvals No
	Width 5.26 mm
	Height 1.12mm
	Length 6.25mm
	Automotive Standard No

Datasheet

COO (Country of Origin):: CN

Vishay MOSFET

The Vishay MOSFET is a P-channel, PowerPAK-SO-8 package is a new age product with a drain-source voltage of 30V and maximum gate-source voltage of 20V. It has a drain-source resistance of 5.5mohm at a gate-source voltage of 10V. It has a maximum power dissipation of 46W. This product has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits

• Halogen and lead (Pb) free component

• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C

• PWM optimised

• TrenchFET power MOSFET

Applications

• Adaptor switches

• Battery management

• Load switches

Vishay Dual SI7997DP Type N-Channel MOSFET, -60 A, -30 V Enhancement, 8-Pin PowerPack

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

Vishay MOSFET

Features and Benefits

Applications

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง