Vishay Dual SI7997DP Type N-Channel MOSFET, -60 A, -30 V Enhancement, 8-Pin PowerPack SI7997DP-T1-GE3
- RS Stock No.:
- 180-7902
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SI7997DP-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB348.84
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB373.26
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 4,260 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 745 | THB69.768 | THB348.84 |
| 750 - 1495 | THB68.024 | THB340.12 |
| 1500 + | THB66.978 | THB334.89 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 180-7902
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SI7997DP-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | -60A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | -30V | |
| Series | SI7997DP | |
| Package Type | PowerPack | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 5.5mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 51nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | -1.2V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 29W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Transistor Configuration | Dual | |
| Length | 6.25mm | |
| Width | 5.26 mm | |
| Height | 1.12mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id -60A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds -30V | ||
Series SI7997DP | ||
Package Type PowerPack | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 5.5mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 51nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf -1.2V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 29W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Transistor Configuration Dual | ||
Length 6.25mm | ||
Width 5.26 mm | ||
Height 1.12mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay MOSFET
The Vishay MOSFET is a P-channel, PowerPAK-SO-8 package is a new age product with a drain-source voltage of 30V and maximum gate-source voltage of 20V. It has a drain-source resistance of 5.5mohm at a gate-source voltage of 10V. It has a maximum power dissipation of 46W. This product has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.
Features and Benefits
• Halogen and lead (Pb) free component
• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C
• PWM optimised
• TrenchFET power MOSFET
Applications
• Adaptor switches
• Battery management
• Load switches
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay Dual SI7997DP Type N-Channel MOSFET -30 V Enhancement, 8-Pin PowerPack
- Vishay Dual SI7956DP Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin PowerPack
- Vishay Dual SI7956DP Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin PowerPack SI7956DP-T1-GE3
- Vishay Dual SI7216DN Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPack
- Vishay Dual SI7216DN Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPack SI7216DN-T1-E3
- Vishay Dual SIA931DJ Type P-Channel MOSFET -30 V Enhancement, 6-Pin PowerPack
- Vishay Dual SIA931DJ Type P-Channel MOSFET -30 V Enhancement, 6-Pin PowerPack SIA931DJ-T1-GE3
- Vishay Dual TrenchFET 2 Type P 4 A 8-Pin TSOP