Vishay Dual Plus Integrated Schottky 2 Type P-Channel MOSFET, 4.5 A, 30 V, 6-Pin PowerPAK SC-70-6L

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB28,182.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB30,156.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
3000 - 3000THB9.394THB28,182.00
6000 - 9000THB9.112THB27,336.00
12000 +THB8.838THB26,514.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
180-7339
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SIA817EDJ-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

4.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

PowerPAK SC-70-6L

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.065Ω

Maximum Gate Source Voltage Vgs

12 V

Maximum Power Dissipation Pd

6.5W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

6.6nC

Forward Voltage Vf

0.56V

Maximum Operating Temperature

150°C

Transistor Configuration

Dual Plus Integrated Schottky

Height

0.75mm

Width

2.05 mm

Length

2.05mm

Standards/Approvals

No

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN
The Vishay SIA817EDJ is a P-channel MOSFET with schottky diode having drain to source(Vds) voltage of -30V. It is having configuration of dual plus integrated schottky. The gate to source voltage(VGS) is 12V. It is having power PAK SC-70 package. It offers drain to source resistance (RDS.) 0.065ohms at 10VGS and 0.08ohms at 4.5VGS. Maximum drain current -4.5A.

Little foot plus Schottky power MOSFET

Thermally enhanced Power PAK SC-70 package small footprint area low on resistance thin 0.75 mm profile

Typical ESD protection (MOSFET): 1500 V (HBM)

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง