Vishay Dual SI7956DP Type N-Channel MOSFET, 4.1 A, 150 V Enhancement, 8-Pin PowerPack

RS Stock No.:: 180-7324
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI7956DP-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay Dual SI7956DP Type N-Channel MOSFET, 4.1 A, 150 V Enhancement, 8-Pin PowerPack

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB165,261.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB176,829.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

3,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
3000 - 3000	THB55.087	THB165,261.00
6000 - 9000	THB53.434	THB160,302.00
12000 +	THB51.831	THB155,493.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 180-7324
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI7956DP-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	4.1A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	150V
	Series	SI7956DP
	Package Type	PowerPack
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.1Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Minimum Operating Temperature	-50°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	17nC
	Maximum Power Dissipation Pd	3.5W
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Transistor Configuration	Dual
	Standards/Approvals	No
	Length	6.25mm
	Height	1.12mm
	Width	5.26 mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 4.1A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 150V
	Series SI7956DP
	Package Type PowerPack
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.1Ω
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Minimum Operating Temperature -50°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 17nC
	Maximum Power Dissipation Pd 3.5W
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Transistor Configuration Dual
	Standards/Approvals No
	Length 6.25mm
	Height 1.12mm
	Width 5.26 mm
	Automotive Standard No

Datasheet

COO (Country of Origin):: CN

Vishay MOSFET

The Vishay surface mount N-channel PowerPAK-SO-8 MOSFET is a new age product with a drain-source voltage of 150V and a maximum gate-source voltage of 20V. It has a drain-source resistance of 105mohms at a gate-source voltage of 10V. It has a maximum power dissipation of 3.5W and continuous drain current of 4.1A. This product has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits

• Dual MOSFET for space savings

• Halogen free

• Lead (Pb) free component

• Low on-resistance in new low thermal resistance PowerPAK package

• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C

• TrenchFET power MOSFET

Applications

• Half bridge and forward converters

• High efficiency primary side switches

Certifications

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

• Rg tested