Vishay Dual SI7956DP Type N-Channel MOSFET, 4.1 A, 150 V Enhancement, 8-Pin PowerPack SI7956DP-T1-GE3

RS Stock No.:: 180-7324
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI7956DP-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay Dual SI7956DP Type N-Channel MOSFET, 4.1 A, 150 V Enhancement, 8-Pin PowerPack SI7956DP-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB203,982.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB218,262.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 28 ธันวาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
3000 - 3000	THB67.994	THB203,982.00
6000 - 9000	THB65.954	THB197,862.00
12000 +	THB63.975	THB191,925.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 180-7324
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI7956DP-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	4.1A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	150V
	Package Type	PowerPack
	Series	SI7956DP
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.1Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	17nC
	Minimum Operating Temperature	-50°C
	Maximum Power Dissipation Pd	3.5W
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Transistor Configuration	Dual
	Standards/Approvals	No
	Height	1.12mm
	Length	6.25mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 4.1A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 150V
	Package Type PowerPack
	Series SI7956DP
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.1Ω
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 17nC
	Minimum Operating Temperature -50°C
	Maximum Power Dissipation Pd 3.5W
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Transistor Configuration Dual
	Standards/Approvals No
	Height 1.12mm
	Length 6.25mm
	Automotive Standard No

Datasheet

COO (Country of Origin):: CN

Vishay SI7956DP Series MOSFET, 150V Maximum Drain Source Voltage, 4.1A Maximum Continuous Drain Current - SI7956DP-T1-GE3

This MOSFET is a dual N-channel transistor in a surface-mount PowerPack package designed for high-voltage switching and control tasks. It operates as an enhancement-mode device intended for use where compact, board-mounted power switching is required. The component supports moderate continuous currents and is suitable for applications that demand resilience across a wide ambient temperature range.

Features and Benefits:

• 150V drain-source rating enables high-voltage switching capability
• 0.1Ω maximum Rds(on) reduces conduction losses during operation
• 4.1A continuous drain current supports sustained load currents
• 17nC typical gate charge yields predictable switching energy
• 3.5W maximum power dissipation manages thermal load in circuits
• -50°C to 150°C operating range sustains performance in extremes

Applications

• Suitable for motor driver half-bridge stages on compact boards
• Ideal for high-voltage power switching in industrial control
• Used for DC-DC converter phases requiring dual transistors
• Can be used for low-side switching in battery management systems
• Used with gate drivers where moderate gate charge is acceptable

What pin count and package type does it use for PCB layout?

It is supplied in an 8-pin PowerPack surface-mount package suitable for dense board layouts and thermal conduction through the package body.

How does the device behave thermally under load?

The device has a 3.5W maximum power dissipation rating and can operate up to 150°C, so thermal management such as copper area or heatsinking should be sized to keep junction temperatures within limits.

What gate voltage limitations must be observed during drive design?

The maximum gate-to-source voltage is 20V, so gate-drive circuits should stay within this threshold to avoid device damage.

Are there any constraints on transistor configuration for circuit design?

The component contains two N-channel transistors in a dual configuration, allowing complementary switching arrangements or parallel operation depending on the schematic.