Vishay Dual SI7956DP Type N-Channel MOSFET, 4.1 A, 150 V Enhancement, 8-Pin PowerPack
- RS Stock No.:
- 180-7324
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SI7956DP-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB173,283.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB185,412.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 26 ตุลาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB57.761 | THB173,283.00 |
| 6000 - 9000 | THB56.028 | THB168,084.00 |
| 12000 + | THB54.347 | THB163,041.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 180-7324
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SI7956DP-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 4.1A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 150V | |
| Package Type | PowerPack | |
| Series | SI7956DP | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.1Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 3.5W | |
| Minimum Operating Temperature | -50°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 17nC | |
| Transistor Configuration | Dual | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 6.25mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 1.12mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 4.1A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 150V | ||
Package Type PowerPack | ||
Series SI7956DP | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.1Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 3.5W | ||
Minimum Operating Temperature -50°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 17nC | ||
Transistor Configuration Dual | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 6.25mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 1.12mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay SI7956DP Series MOSFET, 150V Drain Source Voltage, 4.1A Continuous Drain Current - SI7956DP-T1-GE3
This dual N-channel MOSFET is a surface-mount switching device designed for high-voltage power applications in industrial and electronic systems. It delivers controlled conduction for load switching and power conversion tasks, operating across a wide ambient range and intended for board-level integration where compact, dual-transistor solutions are required.
Features and Benefits:
• 150V drain tolerance enables high-voltage switching capabilities • 4.1A continuous drain current supports moderate load currents • 0.1Ω Rds(on) minimises conduction losses for improved efficiency • 17nC typical gate charge allows predictable switching behaviour • 3.5W power dissipation manages thermal load in Compact assemblies
Applications
• Suitable for DC-DC converter stages in automation equipment • Ideal for motor driver half-bridge circuits in control panels • Used for switched-mode power supplies in industrial electronics • Can be used for power distribution switches on Compact PCBs
What are the allowable gate and drain voltages for safe operation?
The gate may be driven up to 20V and the device withstands drain-source voltages up to 150V.
What thermal extremes can the device tolerate during operation?
It is rated for continuous use from -50°C up to a maximum operating temperature of 150°C.
How many pins and what package type should be expected for PCB layout?
The component is supplied as an 8-pin PowerPack surface-mount device suited to standard land patterns.
How does the dual configuration affect circuit implementation?
Two transistors are provided in a single package, enabling Compact paired-switch arrangements and simplified board routing.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay Dual SI7956DP Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin PowerPack SI7956DP-T1-GE3
- Vishay Dual SI7997DP Type N-Channel MOSFET -30 V Enhancement, 8-Pin PowerPack
- Vishay Dual SI7997DP Type N-Channel MOSFET -30 V Enhancement, 8-Pin PowerPack SI7997DP-T1-GE3
- Vishay Dual SIA931DJ Type P-Channel MOSFET -30 V Enhancement, 6-Pin PowerPack
- Vishay Dual SI7216DN Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPack
- Vishay Dual SI7216DN Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPack SI7216DN-T1-E3
- Vishay Dual SIA931DJ Type P-Channel MOSFET -30 V Enhancement, 6-Pin PowerPack SIA931DJ-T1-GE3
- Vishay Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 8-Pin SO-8
