Vishay Dual SiSF06DN 2 Type N-Channel MOSFET, 101 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212

RS Stock No.:: 204-7259
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SISF06DN-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay Dual SiSF06DN 2 Type N-Channel MOSFET, 101 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB64,374.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB68,880.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 10 กรกฎาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
3000 - 3000	THB21.458	THB64,374.00
6000 - 9000	THB20.814	THB62,442.00
12000 +	THB20.19	THB60,570.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 204-7259
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SISF06DN-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	101A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Series	SiSF06DN
	Package Type	PowerPAK 1212
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.0045Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	30nC
	Maximum Power Dissipation Pd	69.4W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Transistor Configuration	Dual
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	3.3mm
	Standards/Approvals	No
	Height	0.73mm
	Width	3.3 mm
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 101A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Series SiSF06DN
	Package Type PowerPAK 1212
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0045Ω
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 30nC
	Maximum Power Dissipation Pd 69.4W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Transistor Configuration Dual
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 3.3mm
	Standards/Approvals No
	Height 0.73mm
	Width 3.3 mm
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard No

Datasheet - SISF06DN-T1-GE3

The Vishay Common Drain Dual N-Channel 30 V (S1-S2) MOSFET is an integrated common-drain n-channel MOSFETs in a compact and thermally enhanced package.

Very low source-to-source on resistance

TrenchFET Gen IV power MOSFET

Vishay Dual SiSF06DN 2 Type N-Channel MOSFET, 101 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง