Vishay Dual TrenchFET 2 Type P, Type N-Channel MOSFET, 4 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8 Dual

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB250.57

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB268.11

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
กำลังจะเลิกผลิต
  • 5,920 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
10 - 40THB25.057THB250.57
50 - 90THB24.43THB244.30
100 - 240THB23.819THB238.19
250 - 990THB23.223THB232.23
1000 +THB22.643THB226.43

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
228-2925
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SiS590DN-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P, Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

TrenchFET

Package Type

PowerPAK 1212-8 Dual

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.251Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

23.1W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

4.5nC

Transistor Configuration

Dual

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

The Vishay Combo N- & P-Channel -100 V MOSFET.

100 % Rg and UIS tested

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง