Vishay Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET, 4.5 A, 20 V Enhancement, 8-Pin SC-70

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB26,904.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB28,788.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 3,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
3000 +THB8.968THB26,904.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
228-2834
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SIA938DJT-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

4.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Series

TrenchFET

Package Type

SC-70

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

21.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

3.5nC

Maximum Power Dissipation Pd

7.8W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Transistor Configuration

Dual

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

Vishay TrenchFET Series MOSFET, 20V Maximum Drain Source Voltage, 4.5A Maximum Continuous Drain Current - SIA938DJT-T1-GE3


This MOSFET is a Compact, surface-mount dual N-channel transistor designed for switching and power-management duties in electronic systems. It operates at low voltage levels and is suitable for Compact assemblies where board space is limited. The device accommodates moderate continuous currents and supports operation across a wide temperature span for industrial and commercial electronics environments.

Features and Benefits:


• 20V drain rating enables low-voltage system switching
• 4.5A continuous drain current supports moderate load currents
• 21.5mΩ low Rds(on) reduces conduction losses
• 3.5nC typical gate charge minimises switching energy
• 12V maximum gate-source protection simplifies gate drive
• 7.8W power dissipation allows thermal headroom in Compact layouts

Applications


• Suitable for battery-powered motor drivers and controllers
• Ideal for DC-DC converters in embedded systems
• Used for load switching in automation control modules
• Can be used for power distribution in portable electronics

What thermal range can it tolerate during operation?


It is rated to function between -55°C and 150°C, supporting cold-start and high-temperature operation.

How is the device packaged for PCB assembly?


It comes in a Compact SC-70 surface-mount package with an eight-pin count for dual-element placement.

Can this transistor be used in multi-transistor chip configurations?


Yes, it contains two transistor elements on a single die configured as a dual transistor, simplifying layout for paired switching.

What gate-drive considerations apply for robust operation?


The maximum permissible gate-to-source voltage is 12V

designs should limit drive voltage accordingly to avoid exceeding this rating.

How much power can the device safely dissipate on a PCB?


The maximum power dissipation is specified as 7.8W, which must be managed via PCB thermal design and appropriate copper area.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง