Vishay Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET, 4.5 A, 20 V Enhancement, 8-Pin SC-70

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB26,904.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB28,788.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 3,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 26 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
3000 +THB8.968THB26,904.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
228-2834
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SIA938DJT-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

4.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Package Type

SC-70

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

21.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

12 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

3.5nC

Maximum Power Dissipation Pd

7.8W

Maximum Operating Temperature

150°C

Transistor Configuration

Dual

Standards/Approvals

No

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

The Vishay Dual N-Channel MOSFET provides exceptional versatility for power management design.

Very low RDS(on) and excellent RDS x Qg

Figure-of-Merit (FOM) in an ultra compact

package footprint

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง