Vishay Siliconix TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 2.68 A, 20 V Enhancement, 6-Pin SC-70 SQA401EEJ-T1_GE3
- RS Stock No.:
- 178-3886
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQA401EEJ-T1_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay Siliconix
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 25 ชิ้น)*
THB433.45
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB463.80
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 25 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 25 - 725 | THB17.338 | THB433.45 |
| 750 - 1475 | THB16.904 | THB422.60 |
| 1500 + | THB16.644 | THB416.10 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 178-3886
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQA401EEJ-T1_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay Siliconix
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay Siliconix | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 2.68A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 20V | |
| Package Type | SC-70 | |
| Series | TrenchFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 6 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 200mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 8 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 13.6W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 4.2nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | -1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 1mm | |
| Width | 1.35 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 2.2mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay Siliconix | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 2.68A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 20V | ||
Package Type SC-70 | ||
Series TrenchFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 6 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 200mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 8 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 13.6W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 4.2nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf -1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 1mm | ||
Width 1.35 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 2.2mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
สถานะRoHS: ได้รับการยกเว้น
- COO (Country of Origin):
- CN
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay Siliconix TrenchFET Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 6-Pin SC-70
- Vishay Siliconix TrenchFET Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 6-Pin SC-70
- Vishay Siliconix TrenchFET Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 6-Pin SC-70-6L
- Vishay Siliconix TrenchFET Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 6-Pin SC-70-6L SQA405EJ-T1_GE3
- Vishay Siliconix TrenchFET Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 6-Pin SC-70 SQA403EJ-T1_GE3
- Vishay Siliconix TrenchFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 6-Pin SC-70-6L
- Vishay Siliconix TrenchFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 6-Pin SC-70-6L SiA106DJ-T1-GE3
- Vishay Siliconix TrenchFET Type P-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 8-Pin SO-8
