Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET, 12 A, 60 V Enhancement, 6-Pin SC-70-6L SiA106DJ-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
ขออภัย เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกเมื่อใด
RS Stock No.:
178-3667
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SiA106DJ-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

12A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

TrenchFET

Package Type

SC-70-6L

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0185Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

19W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

6.9nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

1mm

Width

1.35mm

Standards/Approvals

No

Length

2.2mm

Automotive Standard

No

สถานะRoHS: ได้รับการยกเว้น

COO (Country of Origin):
CN
TrenchFET® Gen IV power MOSFET

Very low RDS - Qg Figure-of-Merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS – Qoss

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง