Vishay Siliconix TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 100 A, 40 V Enhancement, 4-Pin TO-252

RS Stock No.:: 178-3716
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SQD40061EL_GE3
ผู้ผลิต:: Vishay Siliconix

Vishay Siliconix TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 100 A, 40 V Enhancement, 4-Pin TO-252

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2000 ชิ้น)*

THB65,370.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB69,946.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 28 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
2000 - 2000	THB32.685	THB65,370.00
4000 - 6000	THB31.705	THB63,410.00
8000 +	THB30.754	THB61,508.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 178-3716
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SQD40061EL_GE3
ผู้ผลิต:: Vishay Siliconix

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay Siliconix
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id	100A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Series	TrenchFET
	Package Type	TO-252
	Mount Type	Surface
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	10mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	107W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	185nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Forward Voltage Vf	-1.5V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Height	6.22mm
	Length	6.73mm
	Width	2.38 mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay Siliconix
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id 100A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Series TrenchFET
	Package Type TO-252
	Mount Type Surface
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 10mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 107W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 185nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Forward Voltage Vf -1.5V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Height 6.22mm
	Length 6.73mm
	Width 2.38 mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet

สถานะRoHS: ได้รับการยกเว้น

COO (Country of Origin):: TW

TrenchFET® power MOSFET

Package with low thermal resistance

Vishay Siliconix TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 100 A, 40 V Enhancement, 4-Pin TO-252

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง