Vishay Siliconix TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 100 A, 40 V Enhancement, 4-Pin TO-252
- RS Stock No.:
- 178-3716
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQD40061EL_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay Siliconix
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2000 ชิ้น)*
THB67,538.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB72,266.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 13 ตุลาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2000 - 2000 | THB33.769 | THB67,538.00 |
| 4000 - 6000 | THB32.756 | THB65,512.00 |
| 8000 + | THB31.773 | THB63,546.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 178-3716
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQD40061EL_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay Siliconix
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay Siliconix | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 100A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | TrenchFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 10mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 185nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 107W | |
| Forward Voltage Vf | -1.5V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 6.73mm | |
| Height | 6.22mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay Siliconix | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 100A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series TrenchFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 10mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 185nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 107W | ||
Forward Voltage Vf -1.5V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 6.73mm | ||
Height 6.22mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
สถานะRoHS: ได้รับการยกเว้น
- COO (Country of Origin):
- TW
TrenchFET® power MOSFET
Package with low thermal resistance
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay Siliconix TrenchFET Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 4-Pin TO-252
- Vishay Siliconix TrenchFET Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 4-Pin TO-252 SQD40061EL_GE3
- Vishay Siliconix TrenchFET Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 4-Pin TO-252
- Vishay Siliconix TrenchFET Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 4-Pin TO-252 SQD40031EL_GE3
- Vishay Siliconix TrenchFET Type P-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Vishay Siliconix TrenchFET Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 6-Pin SC-70
- Vishay Siliconix TrenchFET Type P-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Vishay Siliconix TrenchFET Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8