Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P, Type P-Channel MOSFET, 135 mA, 60 V Enhancement, 6-Pin SC-89-6 SI1025X-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
RS Stock No.:
165-6899
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SI1025X-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Transistor Configuration

Isolated

Series

TrenchFET

Number of Elements per Chip

2

Channel Type

Type P, Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current (Id)

135 mA

Maximum Drain Source Voltage (Vds)

60 V

Channel Mode

Enhancement

Pin Count

6

Package Type

SC-89-6

Automotive Standard

No

Forward Voltage (Vf)

-1.4 V

Height

600 μm

Length

1.7 mm

Maximum Drain Source Resistance (Rds)

8 Ω

Maximum Gate Source Voltage (Vgs)

-20 V, +20 V

Maximum Operating Temperature

150 °C

Maximum Power Dissipation (Pd)

250 mW

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Mount Type

Surface

Standards/Approvals

No

Typical Gate Charge (Qg) @ Vgs

1.7 nC

Width

1.2 mm

COO (Country of Origin):
PH

Dual P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง