Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P, Type N-Channel MOSFET, 300 mA, 60 V Enhancement, 6-Pin SC-89-6 SI1029X-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
787-9055
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SI1029X-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P, Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

300mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

SC-89-6

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

8Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

750nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

250mW

Forward Voltage Vf

1.4V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

-20V, +20V

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

600μm

Width

1.7mm

Length

1.7mm

Standards/Approvals

No

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

Dual N/P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง