Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P, Type N-Channel MOSFET, 300 mA, 60 V Enhancement, 6-Pin SC-89-6 SI1029X-T1-GE3

RS Stock No.:: 787-9055
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI1029X-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P, Type N-Channel MOSFET, 300 mA, 60 V Enhancement, 6-Pin SC-89-6 SI1029X-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*

THB303.74

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB325.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

สต็อกสุดท้ายของ RS

1,560 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
20 - 140	THB15.187	THB303.74
160 - 740	THB14.58	THB291.60
760 - 1480	THB13.973	THB279.46
1500 +	THB13.669	THB273.38

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 787-9055
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI1029X-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type P, Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	300mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Series	TrenchFET
	Package Type	SC-89-6
	Mount Type	Surface
	Pin Count	6
	Maximum Drain Source Resistance Rds	8Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	750nC
	Maximum Power Dissipation Pd	250mW
	Forward Voltage Vf	1.4V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	±20 V
	Transistor Configuration	Isolated
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	1.7mm
	Standards/Approvals	No
	Width	1.7 mm
	Height	0.6mm
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Channel Type Type P, Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 300mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Series TrenchFET
	Package Type SC-89-6
	Mount Type Surface
	Pin Count 6
	Maximum Drain Source Resistance Rds 8Ω
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 750nC
	Maximum Power Dissipation Pd 250mW
	Forward Voltage Vf 1.4V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V
	Transistor Configuration Isolated
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 1.7mm
	Standards/Approvals No
	Width 1.7 mm
	Height 0.6mm
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard No

Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P, Type N-Channel MOSFET, 300 mA, 60 V Enhancement, 6-Pin SC-89-6 SI1029X-T1-GE3

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

Dual N/P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง