Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 190 mA, 300 mA, 60 V, 6-Pin SC-89-6 Vishay SI1029X-T1-GE3

RS Stock No.:: 787-9055
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI1029X-T1-GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay

Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 190 mA, 300 mA, 60 V, 6-Pin SC-89-6 Vishay SI1029X-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ราคา / Price Each: (In a Pack of 20)

THB14.016

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB14.997

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

1620 มีของพร้อมจัดส่งภายใน (In stock for delivery within) 4-6 วันทำการ (working days)*

* วันที่จัดส่งอาจเปลี่ยนแปลงได้ตามจำนวนสินค้าที่คุณเลือกหรือที่อยู่จัดส่งของคุณ

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

Units	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค**
20 - 140	THB14.016	THB280.32
160 - 740	THB13.456	THB269.12
760 - 1480	THB12.896	THB257.92
1500 +	THB12.615	THB252.30

**ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 787-9055
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI1029X-T1-GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay

คุณสมบัติ	Value
Channel Type	N, P
Maximum Continuous Drain Current	190 mA, 300 mA
Maximum Drain Source Voltage	60 V
Package Type	SOT-523 (SC-89)
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	6
Maximum Drain Source Resistance	3 Ω, 8 Ω
Channel Mode	Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage	1V
Maximum Power Dissipation	250 mW
Transistor Configuration	Isolated
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip	2
Typical Gate Charge @ Vgs	1700 nC @ 15 V, 750 nC @ 4.5 V
Length	1.7mm
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Transistor Material	Si
Width	1.7mm
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Height	0.6mm

Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 190 mA, 300 mA, 60 V, 6-Pin SC-89-6 Vishay SI1029X-T1-GE3

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

Dual N/P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง