Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P, Type N-Channel MOSFET, 8 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- RS Stock No.:
- 165-6942
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SI4554DY-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*
THB34,502.50
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB36,917.50
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- เพิ่มอีก 15,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 26 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | THB13.801 | THB34,502.50 |
| 5000 - 7500 | THB13.387 | THB33,467.50 |
| 10000 + | THB12.985 | THB32,462.50 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 165-6942
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SI4554DY-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type P, Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 8A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | TrenchFET | |
| Package Type | SOIC | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 34mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | 150°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 13.3nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 3.2W | |
| Maximum Operating Temperature | -55°C | |
| Transistor Configuration | Isolated | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 5mm | |
| Width | 4 mm | |
| Height | 1.5mm | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type P, Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 8A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series TrenchFET | ||
Package Type SOIC | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 34mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature 150°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 13.3nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 3.2W | ||
Maximum Operating Temperature -55°C | ||
Transistor Configuration Isolated | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 5mm | ||
Width 4 mm | ||
Height 1.5mm | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard No | ||
Dual N/P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P 8 A 8-Pin SOIC SI4554DY-T1-GE3
- Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P 5.3 A 8-Pin SOIC
- Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P 6 A 8-Pin SOIC
- Vishay Isolated TrenchFET 2 Type N 8 A 8-Pin SOIC
- Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P 6 A 8-Pin SOIC SI4532CDY-T1-GE3
- Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P 5.3 A 8-Pin SOIC SI4559ADY-T1-GE3
- Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P-Channel Power MOSFET 20 V Enhancement, 8-Pin SOIC
