Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, 70 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 800 ชิ้น)*

THB41,708.80

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB44,628.80

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 14,400 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
800 +THB52.136THB41,708.80

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
124-8782
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IRF4905STRLPBF
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

70A

Maximum Drain Source Voltage Vds

55V

Package Type

TO-263

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

20mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

120nC

Maximum Power Dissipation Pd

170W

Forward Voltage Vf

-1.3V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

9.65 mm

Height

4.83mm

Length

10.67mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
KR

Infineon HEXFET Series MOSFET, 70A Maximum Continuous Drain Current, 170W Maximum Power Dissipation - IRF4905STRLPBF


This high current MOSFET is suitable for various applications within automation and electronics. With a maximum continuous drain current of 70A, it operates at drain-source voltages up to 55V. Its enhancement mode configuration meets performance requirements, while its low RDS(on) maximises energy efficiency. Designed for high power applications, this MOSFET offers thermal stability, making it appropriate for rigorous operating conditions.

Features & Benefits


• Improves system efficiency through low on-resistance values

• Functions effectively within a temperature range of -55°C to +150°C

• Supports fast switching speeds to enhance performance

• Features robust design for repetitive avalanche conditions

• Provided in a D2PAK TO-263 package for straightforward surface mounting

Applications


• Used in power management systems and converters

• Appropriate for motor control requiring high efficiency

• Integrated into switching power supplies for enhanced performance

• Applicable in automotive environments needing dependable control

• Employed in industrial automation requiring substantial power handling

What is the maximum temperature this device can operate at?


The device has a maximum operating temperature of +150°C, ensuring stability under varying environmental conditions.

How does the low RDS(on) benefit circuit design?


Low RDS(on) minimises conduction losses, enhancing overall circuit efficiency and enabling cooler operation.

Can this component handle pulsed currents?


Yes, it is capable of managing pulsed drain currents up to 280 A, making it suitable for dynamic applications.

What are the key parameters for selecting compatible driving voltages?


The gate-to-source voltage should remain within the range of -20 V to +20 V to guarantee effective operation without risk of damage.

Is it suitable for high-frequency switching applications?


The device is designed for fast switching, making it suitable for high-frequency operational functions in electronic circuits.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง