Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, 19 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-220

RS Stock No.:: 919-4867
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF9Z34NPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, 19 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-220

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*

THB835.95

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB894.45

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

250 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
เพิ่มอีก 100 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 02 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อหลอด*
50 - 50	THB16.719	THB835.95
100 - 150	THB16.355	THB817.75
200 +	THB15.992	THB799.60

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 919-4867
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF9Z34NPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	19A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	55V
	Series	HEXFET
	Package Type	TO-220
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	100mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	35nC
	Forward Voltage Vf	-1.6V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	68W
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	No
	Height	8.77mm
	Width	4.69 mm
	Length	10.54mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 19A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 55V
	Series HEXFET
	Package Type TO-220
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 100mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 35nC
	Forward Voltage Vf -1.6V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 68W
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals No
	Height 8.77mm
	Width 4.69 mm
	Length 10.54mm
	Automotive Standard No

ล็อกอินเพื่อดูโมเดล CAD

COO (Country of Origin):: CN

Infineon HEXFET Series MOSFET, 19A Maximum Continuous Drain Current, 68W Maximum Power Dissipation - IRF9Z34NPBF

This P-channel MOSFET is designed for consistent performance across various electronic applications. With a continuous drain current rating of 19A and a drain-source voltage of 55V, it is suitable for automation and power management in modern electronic systems. Its robust thermal characteristics enable operation in challenging environments.

Features & Benefits

• High current capacity meets significant load requirements

• Maximum power dissipation of 68W improves durability

• Enhancement mode design supports efficient switching performance

• Low gate charge allows for quicker operation

• Effective thermal characteristics ensure stable performance at elevated temperatures

• TO-220AB package offers convenient integration into circuits

Applications

• Suitable for power supply circuits prioritising efficiency

• Perfect for motor control in automation systems

• Appropriate for high-frequency switching scenarios

• Employed in power management systems to enhance performance

What is the maximum temperature for this MOSFET?

It can operate at a maximum temperature of +175 °C while maintaining efficiency and reliability.

How does it handle gate-source voltage variations?

It accommodates a maximum gate-source voltage of ±20V, providing flexibility in circuit design.

What is the significance of its low drain-source resistance?

A maximum drain-source resistance of 100 mΩ increases power efficiency and reduces heat production.

Can it be used in high-frequency applications?

Yes, it supports fast switching due to its low gate charge of 35 nC at 10V.

P-Channel Power MOSFET 40V to 55V, Infineon

Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.