Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, 31 A, 55 V Enhancement, 3-Pin IPAK

RS Stock No.:: 919-5021
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFU5305PBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, 31 A, 55 V Enhancement, 3-Pin IPAK

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 75 ชิ้น)*

THB2,201.70

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB2,355.825

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 3,075 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อหลอด*
75 - 75	THB29.356	THB2,201.70
150 - 225	THB28.718	THB2,153.85
300 +	THB28.08	THB2,106.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 919-5021
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFU5305PBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	31A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	55V
	Series	HEXFET
	Package Type	IPAK
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	65mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	-1.3V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	63nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	110W
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	No
	Height	6.1mm
	Length	6.6mm
	Width	2.3 mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 31A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 55V
	Series HEXFET
	Package Type IPAK
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 65mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf -1.3V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 63nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 110W
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals No
	Height 6.1mm
	Length 6.6mm
	Width 2.3 mm
	Automotive Standard No

COO (Country of Origin):: MX

Infineon HEXFET Series MOSFET, 31A Maximum Continuous Drain Current, 110W Maximum Power Dissipation - IRFU5305PBF

This MOSFET is engineered for efficiency and reliability across diverse electronic applications. The advanced processing techniques incorporated enable low resistance per silicon area, making it suitable for high-performance circuit designs. Its robust capabilities accommodate a wide array of drain current and voltage specifications, ensuring optimal use in automation and electrical systems.

Features & Benefits

• High current handling capability of up to 31A

• Operates effectively in enhancement mode for improved performance

• Low static drain-to-source on-resistance for efficient energy consumption

• Broad gate-to-source voltage range of ±20V for versatile control

• Can withstand power dissipation levels up to 110W

• Compact TO-251 IPAK package facilitates space-efficient installation

Applications

• Ideal for power management in consumer electronics

• Employed in renewable energy systems for efficient control

• Suitable for power in electric vehicles

• Utilised in high-frequency switching power supplies for enhanced performance

What operating temperature range can be maintained?

The component can operate within -55°C to +175°C, suitable for various environments.

How does installation affect performance?

Proper installation in space-constrained applications optimises heat dissipation, thus enhancing reliability and performance.

What should be considered for heat management during use?

Ensuring adequate cooling methods is crucial due to its maximum power dissipation of 110 W when operating at high drain currents.

What type of circuit designs benefit from its specifications?

The low on-resistance and high current rating make it well-suited for designs focused on efficiency and minimising energy losses in applications such as motor control and power supplies.

Can it be used in parallel configurations?

Yes, it is suitable for parallel circuits; however, balancing methods should be considered to ensure uniform current distribution across devices.