Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, 12 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-220

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*

THB1,076.65

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB1,152.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 350 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อหลอด*
50 - 50THB21.533THB1,076.65
100 - 150THB21.065THB1,053.25
200 +THB20.597THB1,029.85

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
919-4858
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IRF9Z24NPBF
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

12A

Maximum Drain Source Voltage Vds

55V

Package Type

TO-220

Series

HEXFET

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

175mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

45W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

19nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

-1.6V

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

4.69 mm

Height

8.77mm

Standards/Approvals

No

Length

10.54mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN

Infineon HEXFET Series MOSFET, 12A Maximum Continuous Drain Current, 45W Maximum Power Dissipation - IRF9Z24NPBF


This high-performance MOSFET is designed for efficient power management across various applications. With a P-channel configuration, it is well-suited for controlled switching and enhanced current flow. The product plays a crucial role in driving high-power loads, ensuring consistent performance and thermal stability under challenging conditions.

Features & Benefits


• Maximum continuous drain current of 12A

• Maximum drain-source voltage of 55V

• Low RDS(on) of 175mΩ for reduced power loss

• Works with both negative and positive gate-source voltage

Applications


• Used in power management systems for automation

• Employed in switch mode power supplies for electronics

• Beneficial in audio amplifiers for improved performance

• Common in various consumer electronics for efficient energy use

What is the typical gate charge for optimal performance?


The typical gate charge is 19nC at a gate-source voltage of 10V, providing effective switching characteristics.

How does the channel type affect functionality?


As a P-channel MOSFET, it allows for better integration in high-side switching applications, expanding potential usage scenarios in power circuits.

What is the significance of the temperature range?


The operating temperature range from -55°C to +175°C ensures reliability in various environments, making it versatile for different industrial applications.

Can it be used in high-frequency switching applications?


Yes, the combination of low gate charge and resistance makes it appropriate for high-frequency applications, enhancing performance efficiency.

What considerations should be given for installation?


Ensure proper thermal management and adequate mounting to facilitate effective heat dissipation, which can enhance longevity and reliability in operation.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง