Infineon Isolated OptiMOS 2 Type N-Channel MOSFET, 300 mA, 60 V Enhancement, 6-Pin SC-88 2N7002DWH6327XTSA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB6,828.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB7,305.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 15,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
3000 - 3000THB2.276THB6,828.00
6000 - 9000THB2.208THB6,624.00
12000 +THB2.142THB6,426.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
145-9487
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
2N7002DWH6327XTSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

300mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

OptiMOS

Package Type

SC-88

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

4Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

500mW

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

0.4nC

Forward Voltage Vf

0.96V

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

2mm

Standards/Approvals

No

Height

0.8mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN

Infineon OptiMOS Series MOSFET, 60V Drain Source Voltage, 4Ω Drain Source Resistance - 2N7002DWH6327XTSA1


This MOSFET is a surface-mount N-channel transistor designed for low-power switching in constrained assemblies. It operates in enhancement mode and combines two elements on a single chip to deliver compact dual-die switching suitable for automotive-rated and industrial environments. The device is intended for board-level applications requiring modest current handling and controlled on-resistance.

Features and Benefits:


• 60V drain rating enables higher-voltage switching applications
• 4Ω maximum Rds reduces conduction losses during on-state
• 300mA continuous drain current supports low-current loads
• 0.4nC typical gate charge allows fast, efficient switching
• 500mW power dissipation suits low-power, thermally limited designs
• -55°C to 150°C operating range ensures thermal endurance

Applications


• Suitable for microcontroller-driven load switching
• Ideal for interfacing sensors in automotive systems
• Used with battery-management balancing circuits
• Can be used for small relay replacement duties
• Appropriate for compact SMD power-path control

What package and pin count should I prepare for PCB layout?


The device is supplied in a small SC-88 surface-mount package with six pins, so pads and thermal relief should match the SC-88 footprint.

How does the dual-element chip affect parallel operation?


Two elements on the same die permit compact dual-channel arrangements without external matching, but total thermal limits remain per package.

What gate and drain voltage limits must be observed?


The gate-source voltage must not exceed ±20V while the drain-source voltage limit is 60V to avoid device stress.

What forward voltage can be expected when conducting?


A forward voltage measurement of approximately 0.96V applies under specified test conditions for relevant conduction paths.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง