Dual N-Channel MOSFET, 950 mA, 20 V, 6-Pin SOT-363 Infineon BSD235NH6327XTSA1

RS Stock No.:: 165-5872
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSD235NH6327XTSA1
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Infineon

Dual N-Channel MOSFET, 950 mA, 20 V, 6-Pin SOT-363 Infineon BSD235NH6327XTSA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ราคา / Price Each (On a Reel of 3000)

THB3.905

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB4.178

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

8500 มีของพร้อมจัดส่งภายใน (In stock for delivery within) 4-6 วันทำการ (working days)*

* วันที่จัดส่งอาจเปลี่ยนแปลงได้ตามจำนวนสินค้าที่คุณเลือกหรือที่อยู่จัดส่งของคุณ

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

Units	ต่อหน่วย	ต่อม้วน**
3000 - 3000	THB3.905	THB11,715.00
6000 - 9000	THB3.787	THB11,361.00
12000 +	THB3.674	THB11,022.00

**ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 165-5872
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSD235NH6327XTSA1
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Infineon

คุณสมบัติ	Value
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	950 mA
Maximum Drain Source Voltage	20 V
Series	OptiMOS™ 2
Package Type	SOT-363
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	6
Maximum Drain Source Resistance	600 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage	1.2V
Minimum Gate Threshold Voltage	0.7V
Maximum Power Dissipation	500 mW
Transistor Configuration	Isolated
Maximum Gate Source Voltage	-12 V, +12 V
Typical Gate Charge @ Vgs	0.32 nC @ 4.5 V
Length	2mm
Transistor Material	Si
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Width	1.25mm
Number of Elements per Chip	2
Height	0.8mm
Minimum Operating Temperature	-55 °C

Dual N-Channel MOSFET, 950 mA, 20 V, 6-Pin SOT-363 Infineon BSD235NH6327XTSA1

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

Infineon OptiMOS™2 Power MOSFET Family

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง