Infineon Isolated OptiMOS 2 2 Type N-Channel MOSFET, 950 mA, 20 V Enhancement, 6-Pin SC-88 BSD235NH6327XTSA1
- RS Stock No.:
- 165-5872
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSD235NH6327XTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB9,741.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB10,422.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 6,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB3.247 | THB9,741.00 |
| 6000 - 9000 | THB3.15 | THB9,450.00 |
| 12000 + | THB3.055 | THB9,165.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 165-5872
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSD235NH6327XTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 950mA | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 20V | |
| Series | OptiMOS 2 | |
| Package Type | SC-88 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 6 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 600mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 0.9V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 500mW | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 12 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 0.32nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Transistor Configuration | Isolated | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 2mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 1.25 mm | |
| Height | 0.8mm | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 950mA | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 20V | ||
Series OptiMOS 2 | ||
Package Type SC-88 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 6 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 600mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 0.9V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 500mW | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 12 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 0.32nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Transistor Configuration Isolated | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 2mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 1.25 mm | ||
Height 0.8mm | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Infineon OptiMOS™2 Power MOSFET Family
MOSFET Transistors, Infineon
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon Isolated OptiMOS 2 2 Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 6-Pin SC-88
- Infineon Isolated OptiMOS 2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 6-Pin SC-88
- Infineon Isolated OptiMOS 2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 6-Pin SC-88 2N7002DWH6327XTSA1
- DiodesZetex Isolated 2 Type P 840 mA 6-Pin SC-88
- DiodesZetex Isolated 2 Type P 540 mA 6-Pin SC-88
- Nexperia Isolated Trench MOSFET 2 Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 6-Pin SC-88
- Nexperia Isolated Trench MOSFET 2 Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 6-Pin SC-88
- Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P 700 mA 6-Pin SC-88
