Infineon Isolated OptiMOS 2 Type N-Channel MOSFET, 300 mA, 60 V Enhancement, 6-Pin SC-88
- RS Stock No.:
- 827-0002
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- 2N7002DWH6327XTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 500 ชิ้น)*
THB1,487.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,591.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 15,500 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 500 - 500 | THB2.974 | THB1,487.00 |
| 1000 - 1000 | THB2.899 | THB1,449.50 |
| 1500 + | THB2.855 | THB1,427.50 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 827-0002
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- 2N7002DWH6327XTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 300mA | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | SC-88 | |
| Series | OptiMOS | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 6 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 4Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 0.96V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 0.4nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 500mW | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Transistor Configuration | Isolated | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 1.25 mm | |
| Height | 0.8mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 2mm | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 300mA | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type SC-88 | ||
Series OptiMOS | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 6 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 4Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 0.96V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 0.4nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 500mW | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Transistor Configuration Isolated | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 1.25 mm | ||
Height 0.8mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 2mm | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS™ Dual Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon Isolated OptiMOS 2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 6-Pin SC-88 2N7002DWH6327XTSA1
- Infineon Isolated OptiMOS 2 2 Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 6-Pin SC-88
- Infineon Isolated OptiMOS 2 2 Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 6-Pin SC-88 BSD235NH6327XTSA1
- Nexperia Isolated Trench MOSFET 2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 6-Pin SC-88
- Nexperia Isolated Trench MOSFET 2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement115
- onsemi Isolated 2 Type N-Channel Power MOSFET 60 V Enhancement, 6-Pin SC-88
- onsemi Isolated 2 Type N-Channel Power MOSFET 60 V Enhancement, 6-Pin SC-88 NTJD5121NT1G
- Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P 300 mA 6-Pin SC-89-6 SI1029X-T1-GE3
