Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET, 340 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR532DP-T1-UE3
- RS Stock No.:
- 735-236
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIR532DP-T1-UE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
N
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB84.16
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB90.05
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 10 พฤษภาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB84.16 |
| 10 - 24 | THB54.95 |
| 25 - 99 | THB28.71 |
| 100 - 499 | THB27.72 |
| 500 + | THB27.23 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 735-236
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIR532DP-T1-UE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N channel | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 340A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | PowerPAK SO-8 | |
| Series | TrenchFET | |
| Mount Type | Surface Mount | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.008Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 99.5nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 104.1W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 6.15mm | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N channel | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 340A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type PowerPAK SO-8 | ||
Series TrenchFET | ||
Mount Type Surface Mount | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.008Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 99.5nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 104.1W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 6.15mm | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- IL
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8S SISS586DN-T1-UE3
- Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR5404DP-T1-UE3
- Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR5406DP-T1-UE3
- Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR5408DP-T1-UE3
- Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR5402DP-T1-UE3
- Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8S SISS516DN-T1-UE3
- Toshiba Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SOP
- Toshiba Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SOP TPHR8504PL
