Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET, 101 A, 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR5408DP-T1-UE3

RS Stock No.:: 735-218
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIR5408DP-T1-UE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET, 101 A, 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR5408DP-T1-UE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB44.06

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB47.14

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 16 พฤศจิกายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย
1 - 24	THB44.06
25 - 99	THB29.21
100 - 499	THB14.85
500 +	THB14.36

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 735-218
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIR5408DP-T1-UE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Channel Type	N channel
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	101A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Series	TrenchFET
	Package Type	PowerPAK SO-8
	Mount Type	Surface Mount
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.004Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	±20 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	59.5W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	32.6nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	RoHS Compliant
	Length	6.25mm
	Height	1.12mm
	Width	5.26 mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Channel Type N channel
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 101A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Series TrenchFET
	Package Type PowerPAK SO-8
	Mount Type Surface Mount
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.004Ω
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 59.5W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 32.6nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals RoHS Compliant
	Length 6.25mm
	Height 1.12mm
	Width 5.26 mm
	Automotive Standard No

Datasheet - SIR5408DP-T1-UE3

COO (Country of Origin):: IL

The Vishay N channel MOSFET is built for high-efficiency power conversion and control in demanding electronic systems. it ensures robust performance with comprehensive testing, while maintaining compliance with environmental standards. its versatility makes it Ideal for applications requiring reliable rectification, Compact dc/dc solutions, and precise motor drive control.

Provides 100% Rg and UIS testing for proven reliability

Ensures RoHS compliance for environmental safety

Delivers halogen-free construction for eco-friendly design

Supports synchronous rectification for efficient power conversion

Enables motor drive control with dependable switching performance

Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET, 101 A, 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR5408DP-T1-UE3

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง