Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET, 201.5 A, 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR5402DP-T1-UE3

RS Stock No.:: 735-264
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIR5402DP-T1-UE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET, 201.5 A, 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR5402DP-T1-UE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB70.80

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB75.76

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง

ชิ้น	ต่อหน่วย
1 - 9	THB70.80
10 - 24	THB46.04
25 - 99	THB24.26
100 - 499	THB23.27
500 +	THB22.77

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 735-264
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIR5402DP-T1-UE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Channel Type	N channel
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	201.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Package Type	PowerPAK SO-8
	Series	TrenchFET
	Mount Type	Surface Mount
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.0017Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	82nC
	Maximum Power Dissipation Pd	92.5W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	±20 V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	5.26 mm
	Length	6.25mm
	Height	1.12mm
	Standards/Approvals	RoHS Compliant
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Channel Type N channel
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 201.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Package Type PowerPAK SO-8
	Series TrenchFET
	Mount Type Surface Mount
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0017Ω
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 82nC
	Maximum Power Dissipation Pd 92.5W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 5.26 mm
	Length 6.25mm
	Height 1.12mm
	Standards/Approvals RoHS Compliant
	Automotive Standard No

Datasheet - SIR5402DP-T1-UE3

COO (Country of Origin):: IL

The Vishay N channel MOSFET is built for high-efficiency power conversion and control in demanding electronic systems. it ensures robust performance with comprehensive testing, while maintaining compliance with environmental standards. its versatility makes it Ideal for applications requiring reliable rectification, Compact dc/dc solutions, and precise motor drive control.

Provides 100% Rg and UIS testing for proven reliability

Ensures RoHS compliance for environmental safety

Delivers halogen-free construction for eco-friendly design

Supports synchronous rectification for efficient power conversion

Enables motor drive control with dependable switching performance

Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET, 201.5 A, 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR5402DP-T1-UE3

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง