Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET, 201.5 A, 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR5402DP-T1-UE3
- RS Stock No.:
- 735-264
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIR5402DP-T1-UE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
N
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB70.80
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB75.76
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 08 กุมภาพันธ์ 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB70.80 |
| 10 - 24 | THB46.04 |
| 25 - 99 | THB24.26 |
| 100 - 499 | THB23.27 |
| 500 + | THB22.77 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 735-264
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIR5402DP-T1-UE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | N channel | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 201.5A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | PowerPAK SO-8 | |
| Series | TrenchFET | |
| Mount Type | Surface Mount | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.0017Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 92.5W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 82nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 6.25mm | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Height | 1.12mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type N channel | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 201.5A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type PowerPAK SO-8 | ||
Series TrenchFET | ||
Mount Type Surface Mount | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0017Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 92.5W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 82nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 6.25mm | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Height 1.12mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- IL
The Vishay N channel MOSFET is built for high-efficiency power conversion and control in demanding electronic systems. it ensures robust performance with comprehensive testing, while maintaining compliance with environmental standards. its versatility makes it Ideal for applications requiring reliable rectification, Compact dc/dc solutions, and precise motor drive control.
Provides 100% Rg and UIS testing for proven reliability
Ensures RoHS compliance for environmental safety
Delivers halogen-free construction for eco-friendly design
Supports synchronous rectification for efficient power conversion
Enables motor drive control with dependable switching performance
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8S SISS586DN-T1-UE3
- Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8S SISS516DN-T1-UE3
- Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR5404DP-T1-UE3
- Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR5406DP-T1-UE3
- Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR5408DP-T1-UE3
- Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR532DP-T1-UE3
- Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin 1212-F SISD4604DN-T1-UE3
- Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin 1212-F SISD4402DN-T1-UE3